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系统内存功能
主板有两个DIMM插座,并且支持如下内存功能:
- 1.8V(仅限1.8V)DDR2SDRAM DIMM带镀金连接
- 无缓冲,单面,或双面DIMM,但有下列限制:不支持x16组织的双面DIMM
- 最大总系统内存:2GB
- 最小总系统内存:128MB
- 非ECC DIMM
- 串行存在检测
- DDR2 667、DDR2 533或DDR2 400MHz SDRAM DIMM
| 说明 |
- 前移除PCI Express x16视频卡安装或升级内存,避免与内存固定架冲突。
- 无论使用哪种类型的DIMM,内存频率是等于或小于处理器系统总线的频率。 例如,如果DDR2 533内存系统总线频率是800MHz的处理器一起使用,内存工作在533MHz。
- 为了完全兼容适用的英特尔®SDRAM技术指标,该委员会应该DIMM支持串行存在检测(SPD)数据结构。 如果您的内存模块不支持SPD,一个通知显示在加电时屏幕上。 BIOS尝试配置内存控制器以便正常运行。
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支持的DIMM配置
下表列出了支持的DIMM配置。
| DIMM容量 |
配置 |
SDRAM密度 |
SDRAM前端/后端组织 |
SDRAM设备数 |
| 128MB |
SS |
256Mbit |
16M x16/空4 |
4 |
| 256MB |
SS |
256Mbit |
32M x8/空8 |
8 |
| 256MB |
SS |
512Mbit |
32M x16/空4 |
4 |
| 512MB |
DS |
256Mbit |
32M x8/32M x8 16 |
16 |
| 512MB |
SS |
512Mbit |
64M x8/空8 |
8 |
| 512MB |
SS |
1吉位 |
64M x16/空4 |
4 |
| 1024MB |
DS |
512Mbit |
64M x8/64M x8 16 |
16 |
| 1024MB |
SS |
1吉位 |
128M x8/空8 |
8 | |
| 注 |
在第二列中,“ds”代表双面内存模块(两排DDR SDRAM)。 “ss”代表单面内存模块(一排SDRAM)。 | |
经测试的内存
第三方经测试的内存*
第三方经测试的内存是根据内存供应商的要求,并且在一个不属于英特尔的独立的内存室-计算机内存测试实验室(CMTL)。
已由供应商自行测试的内存
英特尔向参与此计划的内存供应商提供通用的测试计划,可以对内存稳定性作基本的检验。 此处列出的内存完成的测试内存供应商或英特尔的该项测试。 这些部件号可能不易获得在产品生命周期内。
下表列出了已通过测试过程中使用《英特尔自行测试程序英特尔®台式机主板D945GCNL。
| 模块供应商/模块部件号 |
模块大小 |
模块速度(MHz)1 |
延迟时间CL-tRCD-tRP |
ECC还是非ECC? |
DIMM组态 |
模块日期代码 |
使用的组件/组件部件号 |
| CORSAIR*VS256MB667D2 |
256MB |
667 |
|
非ECC |
|
|
|
| ELPIDA*EBE11UD8aefa-6E-E |
1GB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
dsx8 |
514 |
ELPIDA E5108AE-6E-E |
| Hynix*HYMP512U64CP8-Y5-AB |
1GB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
dsx8 |
649 |
Hynix hy5PS12821cfp-Y5 |
| Hynix HYMP532U64CP6 |
256MB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
ssx8 |
626 |
Hynix hy5PS121621cfp-Y5 |
| Hynix hymp564u64bp8-S6AB |
512MB |
667 |
|
非ECC |
|
|
|
| Hynix HYMP564U64P8-E3 |
512MB |
400 |
3/3/3 |
非ECC |
ssx8 |
505 |
Hynix hy5PS12821FP-E3 |
| Infineon*HYS64T32000HU-2.5-B |
256MB |
800 |
6/6/6 |
非ECC |
|
|
|
| Infineon HYS64T32000HU-3S-B |
256MB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
ssx16 |
540 |
Qimonda*HYB18T512160BF-3S |
| Infineon hys64t3200hu-3.7-A |
256MB |
533 |
4/4/4 |
非ECC |
ssx16 |
526 |
Infineon hy18t512160af-3.7 |
| Infineon hys64t6400hu-2.5B |
512MB |
800 |
6/6/6 |
非ECC |
ssx8 |
646 |
Qimonda HYB18T5128008F-25 |
| Kingston*KVR667D2N5 |
256MB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
|
|
|
| Micron*MT4HTF3264AY-53EB1 |
256MB |
533 |
4/4/4 |
非ECC |
ssx16 |
524, |
微米MT47H32M16CC |
| 微米MT4HTF3264AY-800D3 |
256MB |
800 |
6/6/6 |
非ECC |
ssx16 |
646 |
微米MT47H32M16BN |
| 微米MT4HTF5264AY-667B2 |
256MB |
667 |
|
非ECC |
|
|
|
| NANYA*NT1GT64U8HB0BY-25D |
1GB |
800 |
6/6/6 |
非ECC |
dsx8 |
703 |
NANYA ntstu66M88E-25D |
| NANYA NT512T64U88B0BY-25D |
512MB |
800 |
6/6/6 |
非ECC |
ssx8 |
626 |
NANYA ntstu66M88E-25D |
| 爱国者*PSD21G6672 |
1GB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
dsx8 |
446 |
微米MT47H64M8BT-3 |
| PSC*AL6E8e63b-8 |
512MB |
800 |
|
非ECC |
|
|
|
| Ramaxel*RML1520HB38D6F-667 |
512MB |
667 |
|
非ECC |
|
|
|
| 三星*KRM378T2953CZ0-CE6 |
1GB |
667 |
5/5/5 |
非ECC |
dsx8 |
552 |
三星K4T51083QC |
| 三星M378T6453fgo-CD5 |
512MB |
533 |
4/4/4 |
非ECC |
dsx8 |
422 |
三星K4T56083qf-GC05 |
| 三星378T6553CZ3- |
512MB |
800 |
6/6/6 |
非ECC |
ssx8 |
641 |
三星K4T51083QC-zcf7 |
| 智能*tB4D2667C58D |
1GB |
667 |
|
非ECC |
|
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|
| 超级纳更多优秀人才*T800ub1GC4 |
1GB |
800 |
|
非ECC |
|
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| | 1800MHz前端总内存工作667MHz前端总。
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