英特尔®台式机主板D925XECV2

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英特尔®台式机主板D925XECV2

系统内存

系统内存功能
主板有四个DIMM插座,并且支持如下内存功能:

1.8V和1.9V DDR2SDRAM DIMM
3-3-3内存时序,其中1.9V DIMMs
无缓冲,单面或双面DIMM,但有下列限制:不支持x16组织的双面DIMM。
最大总系统内存4GB
最小总系统内存:128MB
非ECC DIMM
串行存在检测
DDR2 533MHz或DDR2 400MHz SDRAM DIMM

说明	BIOS将识别1.9V DIMMs(通过SPD数据结构)和重新配置内存稳压器电路1.9V、3-3-3内存时序操作。前移除PCI Express x16视频卡安装或升级内存,避免与内存固定架冲突。为了完全兼容所有适用的DDR SDRAM内存技术指标,该主板应该组装支持串行存在检测(SPD)数据结构。这使得BIOS可以读取SPD数据,正确地配置芯片组的内存设置来获得最优性能。如果安装有非SPD内存,BIOS将尝试正确配置内存设置,但是性能和可靠性将受影响,或者DIMM在确定的频率下可能无法正常工作。

支持的内存配置

DIMM容量	配置	SDRAM密度	SDRAM前端/后端组织	SDRAM设备数
128MB	SS	256Mbit	16M x16/空	4
256MB	SS	256Mbit	32M x8/空	8
256MB	SS	512Mbit	32M x16/空	4
512MB	DS	256Mbit	32M x8/32M x8	16
512MB	SS	512Mbit	64M x8/空	8
512MB	SS	1吉位	64M x16/空	4
1024MB	DS	512Mbit	64M x8/64M x8	16
1024MB	SS	1吉位	128M x8/空	8
2048MB	DS	1吉位	128M x8/128M x8	16

注	在第二列中,"DS"代表双面内存模块(包含两排DDR SDRAM),而"SS"代表单面内存模块(包含一排SDRAM)。

经测试的内存

经第三方测试的内存*
第三方经测试的内存是根据内存供应商的要求,并且在一个不属于英特尔的独立的内存室。经过计算机内存测试实验室(CMTL)测试的内存。

已由供应商自行测试的内存
英特尔向参与此计划的内存供应商提供通用的测试计划,可以对内存稳定性作基本的检验。此处列出的内存都已经过内存供应商或英特尔的该项测试。这些部件号可能不易获得在产品生命周期内。

下表列出了已通过英特尔的自行测试程序测试、适用于英特尔®台式机主板D925XECV2。

模块供应商模块部件号	模块大小 (MB)	模块速度 (MHz)	延迟 CL-tRCD-tRP	ECC或非ECC?	DIMM 组织	模块日期代码	使用的组件组件部件号
Apacer* 78.91066 .420	512MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	0423 owj92	ELPIDA* ede5108abse-5C-E
Apacer 78.81067.460	256MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	0431	三星* K4T56083qf-GCD5
Hynix* hymp512u648-C4	1GB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0424	Hynix hy5ps12821f-C4
Hynix hymp564u648-C4	512MB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0424	Hynix hy5ps12821f-C4
Hynix hymp264u648-C4	512MB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0423	Hynix hy5ps56821f-C4
Hynix HYMP532U646-C4	256MB	533	4-4-4	非ECC	ssx16	0426	Hynix hy5ps121621f-C4
Hynix hymp232u648-C4	256MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	-0418	Hynix hy5ps56821f-C4
Hynix hymp216u646-C4	128MB	533	4-4-4	非ECC	ssx16	0413	Hynix hy5ps561621f-C4
Infineon技术* HYS64T128020HU-3.7-A	1GB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0434	Infineon技术 hyb18t512800af-3.7
Infineon技术 HYS64T64000HU-3.7-A	512MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	0446	Infineon技术 hyb18t512800af-3.7
Infineon技术 hys64t32001hu-3.7-A	256MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	0436	Infineon技术 hyb18t256800af-3.7
Infineon技术 HYS64T32000HU-3.7-A	256MB	533	4-4-4	非ECC	ssx16	0436	Infineon技术 hyb18t512160af-3.7
Kingston Technology* KVR533D2N4/1G	1GB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0000	Infineon hyb18t512800ac37
Kingston Technology KVR533D2N4/512	512MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	0000	ELPIDA e5108ab-5C-E
Kingston Technology KVR533D2N4/256	256MB	533	4-4-4	非ECC	ssx16	0000	ELPIDA e5116ab-5C-E
太平洋强制技术。 Ltd.* PF-Gen-52297	512MB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0440	三星 K4T56083qf-zcd5
超级纳更多优秀人才电子* t533ub1gb	1024MB	533	4-4-4	非ECC	dsx8	0515	三星 k4t51083qb-zcd5
超级纳更多优秀人才电子 t533eb1gb	1024MB	533	4-4-4	ECC	dsx8	0512	三星 k4t51083qb-zcd5
超级纳更多优秀人才电子 t533ea512b	512MB	533	4-4-4	ECC	ssx8	0514	Infineon hyb18t512 800 af37
超级纳更多优秀人才电子 t533eb512b	512MB	533	4-4-4	ECC	dsx8	0450	三星 K4T56083qf-GCD5
超级纳更多优秀人才电子 t533ua512b	512MB	533	4-4-4	非ECC	ssx8	0514	三星 k4t51083qb-zcd5
Hynix hymp264u648-E3	512MB	400	3-3-3	非ECC	ssx8	0421	Hynix hy5ps56821f-E3
Hynix hymp264u728-E3	512MB	400	3-3-3	ECC	dsx8	0421	Hynix hy5ps56821f-E3
Hynix hymp232u648-E3	256MB	400	3-3-3	非ECC	ssx8	0421	Hynix hy5ps56821f-E3
Hynix hymp232u728-E3	256MB	400	3-3-3	ECC	ssx8	0426	Hynix hy5ps56821f-E3
Hynix hymp216u646-E3	128MB	400	3-3-3	非ECC	ssx16	-0418	Hynix hy5ps561621f-E3
Infineon技术 hys64128020hu-5-a	1GB	400	3-3-3	非ECC	dsx8	0437	Infineon技术 hyb18t512800af-5
Infineon技术 HYS64T64000HU-5-a	512MB	400	3-3-3	非ECC	ssx8	0436	Infineon技术 hyb18t512800af-5
Infineon技术 hys64t32001hu-5-a	256MB	400	3-3-3	非ECC	ssx8	0438	Infineon技术 hyb18t256800af-5
Infineon技术 HYS64T32000HU-5-a	256MB	400	3-3-3	非ECC	ssx16	0434	Infineon技术 hyb18t512160af-5
超级纳更多优秀人才电子 t400eb1ga	1024MB	400	3-3-3	ECC	dsx8	0513	三星 k4t51083qb-zcd5
超级纳更多优秀人才电子 t400ub1ga	1024MB	400	3-3-3	非ECC	dsx8	0512	Infineon hyb18t512800af5
超级纳更多优秀人才电子 t400eb512a	512MB	400	3-3-3	ECC	dsx8	0450	三星 K4T56083qf-GCD5
超级纳更多优秀人才电子 t400ua512a	512MB	400	3-3-3	非ECC	ssx8	0514	三星 k4t51083qb-zcd5
超级纳更多优秀人才电子 t400ua256a	256MB	400	3-3-3	非ECC	ssx8	0448	三星 K4T56083qf-gccc

更新日期:10月19日2005年

本文适用于:

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解决方案标识:CS-026979
创建时间:12-2007年6月
日最后修订日期:7月30-2010