英特尔®台式机主板D915GAV-系统内存

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英特尔®台式机主板D915GAV

系统内存

系统内存功能
主板有四个DIMM插座,并支持如下内存功能:

2.6V(仅)DDR SDRAM DIMM带镀金触点
无缓冲,单面或双面DIMM,但有下列限制:x16组织的双面DIMM不受支持。
4GB最大系统总内存
最小总系统内存:128MB
非ECC DIMM
串行存在检测
DDR400MHz和DDR333MHz SDRAM DIMM

说明

移除PCI Express*x16显卡,再安装或升级内存,避免与内存固定架冲突。
为了完全兼容所有适用的DDR SDRAM内存技术指标,该主板应该组装支持的DIMM的串行存在检测(SPD)数据结构。这使得BIOS可以读取SPD数据并对芯片组编程,以准确地配置内存设置,实现最优性能。如果安装有非SPD内存,BIOS将尝试正确配置内存设置,但是性能和可靠性将受影响,或者DIMM在确定的频率下可能无法正常工作。

支持的系统总线频率和内存速度组合

要使用此类型DIMM...	处理器的系统总线频率必须是...
DDR400	800MHz
DDR333(注)	800或533MHz

注意:当使用800MHz系统总线频率的处理器,DDR333内存会锁定在320MHz。这会最小化系统等待时间,以优化系统吞吐量。

支持的内存配置

DIMM容量	配置	SDRAM密度	SDRAM组织前端/后端	数量 SDRAM设备
128MB	SS	256Mbit	16M x16/空	4
256MB	SS	256Mbit	32M x8/空	8
256MB	SS	512Mbit	32M x16/空	4
512MB	DS	256Mbit	32M x8/32M x8	16
512MB	SS	512Mbit	64M x8/空	8
512MB	SS	1Gbit	64M x16/空	4
1024MB	DS	512Mbit	64M x8 /64M x8	16
1024MB	SS	1Gbit	128M x8/空	8
2048MB	DS	1Gbit	128M x8/128M x8	16

注:在第二列中,"DS"代表双面内存模块(包含两排ddr SDRAM),而"SS"代表单面内存模块(包含一排SDRAM)。

经测试的内存

第三方经测试的内存
第三方经测试的内存是应内存供应商的要求,在一个不属于英特尔的独立内存实验室中英特尔。经计算机内存测试实验室(CMTL)。
注:此链接将带您离开英特尔的网站。

已由供应商自行测试的内存
英特尔向参与此计划的内存供应商提供通用的内存测试计划,以进行内存稳定性基本检查。此处列出的内存都已经过内存供应商或英特尔的该测试计划。这些部件号可能不易获得在整个产品生命周期中。

下表列出了已通过英特尔的自行测试程序测试、适用于英特尔®台式机主板D915GAV。有关自行测试的详细解释,请参阅台式机主板组件功能测试级别页面。

模块供应商模块部件号	模块大小 (MB)	模块速度 (MHz)	等待时间 CL-tRCD-tRP	ECC或非ECC?	DIMM 组织-zation	模块日期代码	使用的组件组件部件号
A-数据* MDOEL6F3G31Y0D1E0Z	256MB	400	3-4-4	非ECC	SSx8	0527	Elpida* DDR-DD2508ARTA
A-数据 MDOHY6F3G3X10BZE0Z	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	510A	Hynix* DDR-HY5DU56822DT-D43
Infineon技术* HYS64D128320HU-5-B	1GB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0445	Infineon技术 HYB25D512800BE-5
Infineon技术 HYS64D64320HU-5-C	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0436	Infineon技术 HYB25D512800CE-5
Infineon技术 HYS64D32300HU-5-C	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0432	Infineon技术 HYB25D512800CE-5
Kingston Technology* KVR400X64C3A/1G	1GB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0518	Infineon HYB25D512800BE-5
Kingston Technology KVR400X64C3A/1G	1GB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	449	三星* K4H510838B-TCCC
Kingston Technology KVR400X64C3A/512	512MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0518	Micron* MT46V64M8-5B
Kingston Technology KVR400X64C3A/512	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0000	三星* K4H560838F-TCCC
Kingston Technology KVR400X64C3A/256	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0000	Promos* V58C2256804SCT5B
Micron MT16VDDT12864AY-40 BD3	1024MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0528	Micron MT46V64M8P
Micron MT16VDDF6464AY-40 BG1	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0540	Micron MT46V32M8BG
Micron MT8VDDT6464AG-40 BD1	512MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0534	Micron MT46V64M8TG
Micron MT16VDDT6464AG-40 BG6	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0536	Micron MT46V32M8TG
Micron MT16VDDT6464AY-40 BG6	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0534	Micron MT46V32M8P
Micron MT16VDDT6464AG-40 BG4	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0508	Micron MT46V32M8TG
Micron MT16VDDT6464AG-40 BG5	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0535	Micron MT46V32M8TG
Micron MT8VDDT6464AG-40 BD3	512MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0523	Micron MT46V64M8TG
Micron MT8VDDT6464AY-40 BD3	512MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0534	Micron MT46V64M8P
Micron MT8VDDT3264AG-40 BG6	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0536	Micron MT46V32M8TG
Micron MT8VDDT3264AG-40 BG5	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0533	Micron MT46V32M8TG
Micron MT8VDDF3264AY-40 BG1	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0540	Micron MT46V32M8BG
Samsung M368L2923DUN-CCC	1GB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0540	Samsung K4H510838D-UCCC
Samsung M368L2923CUN-CCC	1GB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0509	Samsung K4H510838C-UCCC
Samsung M368L6523DUD-CCC	512MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0549	Samsung K4H510838D-UCCC
Samsung M368L6423ETN-CCC	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0509	Samsung K4H560838E-TCCC
Samsung M368L6423FTN-CCC	512MB	400	3-3-3	非ECC	DSx8	0506	Samsung K4H560838F-TCCC
Samsung M368L6523CUS-CCC	512MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0503	Samsung K4H510838C-UCCC
Samsung M368L3223FTN-CCC	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0506	Samsung K4H560838F-TCCC
Samsung M368L3324CUS-CCC	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx16	0506	Samsung K4H511638C-UCCC
Samsung M368L3223ETN-CCC	256MB	400	3-3-3	非ECC	SSx8	0506	Samsung K4H560838E-TCCC
Infineon技术 HYS64D128320HU-6-B	1GB	333	2.5-3-3	非ECC	DSx8	0434	Infineon技术 HYB25D512800BE-6
Infineon技术 HYS64D64320HU-6-C	512MB	333	2.5-3-3	非ECC	DSx8	0436	Infineon技术 HYB25D512800CE-6
Infineon技术 HYS64D32300HU-6-C	256MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0436	Infineon技术 HYB25D512800CE-6
Micron MT16VDDT12864AG-335 D1	1024MB	333	2.5-3-3	非ECC	DSx8	0537	Micron MT46V64M8TG
Micron MT8VDDT6464AG-335 D3	512MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0513	Micron MT46V64M8TG
Micron MT8VDDT6464AG-335 D2	512MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0505	Micron MT46V64M8TG
Micron MT8VDDT6464AG-335 D1	512MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0450	Micron MT46V64M8TG
Micron MT16VDDT6464AG-335 G4	512MB	333	2.5-3-3	非ECC	DSx8	0408	Micron MT46V32M8TG
Micron MT8VDDT3264AG-33 G4	256MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0540	Micron MT46V32M8TG
Micron MT8VDDT3264AG-335 G4	256MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0450	Micron MT46V32M8TG
Micron MT8VDDT3264AG-335 G6	256MB	333	2.5-3-3	非ECC	SSx8	0513	Micron MT46V32M8TG
Samsung M368L5623MTN-CB3	2GB	333	2.5-3-3	非ECC	DSx8	0508	Samsung K4H1G0838M-TCB3

更新:2006年11月30日

适用于:

英特尔®台式机主板D915GAV

交互式支持结束声明
英特尔不再生产这些产品。另外，英特尔不再通过电话或电子邮件提供对这些产品的交互式支持，英特尔也不再为支持新的操作系统而提供任何进一步的软件更新以及改善与第三方设备和软件产品的兼容性。

这些文档仅作为历史参考的目的而提供，并且遵照下面 "法律信息" 链接中指明的条款。有关当前英特尔产品的信息，请参阅 www.intel.com 和/或 developer.intel.com

解决方案标识:CS-027070
创建日期:13-6-2007
最后修订日期:18-6-2007

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