Исключительная производительность. Оптимизированная производительность двухъядерных процессоров Intel® Core™2 Duo обеспечивает экономию энергии и превосходную работу приложений, требовательных к ресурсам системы.
| Номер процессора¹ |
Архитектура | Объем кэш-памяти | Тактовая частота  |
Системная шина |
Двухъядерный | Технология Intel®Virtualization (Intel® VT) Φ |
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® |
Intel® 64 Φ |
Функция Execute Disable Bit° |
Технология Intel® Trusted Execution |
| P9600 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,66 ГГц | 1066 МГц |  |
|
|
|
|
|
| P8700 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,53 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SP9600 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,53 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SP9400 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,4 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SP9300 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,26 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SL9600 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,13 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SL9400 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,86 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SL9300 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,60 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| SU9600 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,60 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| SU9400 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,40 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| SU9300 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,20 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| E8600 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 3,33 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E8500 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 3,16 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E8400 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 3 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E8300 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,83 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E8200 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,66 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E8190 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,66 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
||
| E7500 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,93 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
||
| E7400 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,80 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
||
| E7300 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,66 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
||
| E7200 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,53 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
||
| T9800 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,93 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| T9550 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,66 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| T9500 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,60 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T9300 | 45-нанометровая производственная технология | 6 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,50 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T8300 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,4 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T8100 | 45-нанометровая производственная технология | 3 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,10 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6850 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 3 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6750 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,66 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6700 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,66 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6600 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,4 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6550 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,33 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6540 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,33 ГГц | 1333 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6420 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,13 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6400 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,13 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6320 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 1,86 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| E6300 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,86 ГГц | 1066 МГц | |
|
|
|
|
|
| E4700 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,60 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| E4600 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,4 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| E4500 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,2 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| E4400 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,00 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| E4300 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,80 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| T7800 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,6 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7700 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,4 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7600 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,33 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7500 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,20 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7400 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,16 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7300 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,00 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7250 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 2,00 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7200 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 2,00 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
|
|
| T7100 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,80 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
|
|
| T5600 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,83 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
|
|
| T5550 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,83 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
||
| T5500 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,66 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
||
| T5470 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,60 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| T5450 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,66 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
||
| T5300 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,73 ГГц | 533 МГц | |
|
|
|
||
| T5270 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,4 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
||
| T5250 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,50 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
||
| T5200 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,60 ГГц | 533 МГц | |
|
|
|
||
| Номер процессора¹ |
Архитектура | Объем кэш-памяти | Тактовая частота |
Системная шина |
Двухъядерный | Технология Intel® Virtualization (Intel® VT) Φ |
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® |
Intel® 64 Φ |
Функция Execute Disable Bit° |
|
| L7500 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 1,60 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
| |
| L7400 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 1,50 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
| |
| L7300 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 1,40 ГГц | 800 МГц | |
|
|
|
| |
| L7200 | 65-нанометровая производственная технология | 4 МБ кэш-памяти второго уровня | 1,33 ГГц | 667 МГц | |
|
|
|
|
|
| Номер процессора¹ |
Архитектура | Объем кэш-памяти | Тактовая частота |
Системная шина |
Двухъядерный | Технология Intel® Virtualization (Intel® VT) Φ |
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® |
Intel® 64Φ |
Функция Execute Disable Bit° |
|
| U7700 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,33 ГГц | 533 МГц | |
|
|
|
| |
| U7600 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,20 ГГц | 533 МГц | |
|
|
|
| |
| U7500 | 65-нанометровая производственная технология | 2 МБ кэш-памяти 2 уровня | 1,06 ГГц | 533 МГц | |
|
|
|
|
|
¹ Номера процессоров Intel® не являются показателем производительности. Номера процессоров указывают на различия характеристик процессоров в пределах семейства, а не на различия между семействами процессоров. Дополнительную информацию можно найти на странице www.intel.com/products/processor_number/rus/.
Φ Для реализации технологии Intel® Virtualization (Intel® VT), Intel® Trusted Execution Technology (Intel® TXT) и технологии Intel® 64 необходима вычислительная система на базе процессора, набора микросхем, BIOS, ПО, ОС, драйверов и приложений, поддерживающих эти технологии. Реальные значения производительности могут изменяться в зависимости от конфигурации и настроек аппаратных средств и программного обеспечения. Для получения дополнительной информации свяжитесь с поставщиком.
° Для реализации функции Execute Disable Bit требуется ПК с процессором и операционной системой, поддерживающими эту функцию. Чтобы получить информацию о поддержке функции Execute Disable Bit Вашей системой, обратитесь к ее производителю.
