| BIOS オプション |
説明 |
| SDRAM CAS Latency Time
| 選択肢: 2, 3
本オプションは、SDRAM が読出し指令を開始してから実際にデータを受信するまで、何クロック遅らせるかを制御しています。これは何クロックでバースト転送の最初の出力を完了できるかも示します。レーテンシーの小さい方が、より高速に処理できます。しかしながら、SDRAM によっては低いレーテンシーで動作できず、不安定やデータ消失を引き起こすことがあります。最適の性能を発揮するため、可能であれば SDRAM CAL Latency Time を 2 にしてください。ただしシステムが不安定になった場合は 3 に設定してください。 |
| SDRAM Cycle Time Tras/Trc
| 選択肢: 5/6, 6/8
本オプションは、SDRAM の Tras および Trc に最低何クロックずつ必要かを設定します。
- Tras は、SDRAM の「行」をアクティブにする (データ転送のため、どの行をオープンするかを指定する) ために必要な時間で、最短RAS パルス幅としても知られています。
- Trc は、行オープン、行リフレッシュを完了するために必要な時間です。
既定値は 6/8 で、安定してますが 5/6 よりも時間が掛かります。しかしながら、5/6 サイクルでは SDRAM は早く動作しますが、行オープン時間がデータ処理を完了するのに十分でない可能性があります。これは特に SDRAM のクロックスピードが 100MHz 未満の場合に現実となります。性能の良い SDRAM に対しては 5/6 に設定することができますが、システムが不安定になった場合は 6/8 で設定してください。 |
| SDRAM RAS-to-CAS Delay
| 選択肢: 2, 3
本オプションは、SDRAM が RAS 信号 (行アドレス・ストローブ) と CAS 信号 (列アドレス・ストローブ) の間何クロック遅らせるかを設定します。これは SDRAM への書き込み・読出しおよびリフレッシュの際に発生します。通常、ディレイを小さくすることにより SDRAM の性能が上がり、大きくすれば性能が下がります。規定値の 3 から 2 に変更することにより SDRAM の性能が上がります。もし変更後のシステム安定性に問題がある場合は、3 に設定してください。 |
| SDRAM RAS Precharge Time
| 選択肢: 2, 3
本オプションは、SDRAM が RAS 信号を送ってから SDRAM をリフレッシュするまでにどれだけのクロック数が必要かを設定します。プレチャージ時間を 2 に短くすることにより、SDRAM の性能が上がりますが、インストールされている SDRAM にとってプレチャージ時間が短かすぎる場合、SDRAM が正しくリフレッシュされず、データを保持できない可能性があります。SDRAM の性能を発揮するため、SDRAM RAS Precharge Time を 2 にしてください。もし変更後のシステム安定性に問題がある場合は、3 に設定してください。 |
| SDRAM Cycle Length
| 選択肢: 2, 3
本オプションは、SDRAM CAS Latency Time と同様のものです。SDRAM が読出し指令を開始してから実際にデータを受信するまで、何クロック遅らせるかを制御しています。これは何クロックでバースト転送の最初の出力を完了できるかも示します。レーテンシーの小さい方が、より高速に処理できます。しかしながら、SDRAM によっては低いレーテンシーで動作できず、不安定やデータ消失を引き起こすことがあります。最適の性能を発揮するため、可能であれば SDRAM Cycle Length を 2 にしてください。ただしシステムが不安定になった場合は 3 に設定してください。 |
| SDRAM Leadoff Command
| 選択肢: 3, 4
本オプションは、SDRAM にデータを保存されているデータにアクセスできるようになるまでにどれだけの時間が必要かを設定します。ほとんどの場合、これはバースト転送の最初のアクセスタイムです。最適化のため、SDRAM Leadoff Command を 3 にしてください。ただしシステムが不安定になった場合は 4 に設定してください。 |
| RDRAM Frequency selection
| 選択肢: Auto, 3:1, 4:1
"Auto" 設定のときは、RIMM の設計スピードレシオで動作します。 RIMMはオーバークロックすると安定しません。ASUS社製P4Tマザーボードで、PC800 と PC600 を混在動作させたい場合は、BIOS にて 3:1 に設定して問題を回避してください。 |
| RDRAM Pool B state
| Intel(R) 850 chipset では、デュアル Rambus チャネルを採用しています。RDRAM ではより多くの電力消費・発熱があります。マザーボードによっては、片方のチャネルを使用していない場合、消費電力を抑制し RIMM の過熱を抑えるための動作を、"Nap" または "Standby" のどちらか選択できます。
- "Standby" の場合、RIMM は電源 ON 状態で待機するため、すぐに復帰可能ですが、消費電力・発熱が大きいです。
- "Nap" の場合、RIMM はパワーセーブモードに移行し消費電力・発熱を抑えますが、アクセスがあった場合の遅延は大きくなります。
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