＜ご参考資料＞
* 2009 年 10 月 28 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。
インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とニューモニクス （本社: スイス・ジュネーブ）は本日、多様なメモリー形態の利点を組み合わせた新しい不揮発性メモリー技術である相変化メモリー（PCM）の研究において、画期的な成果を達成したと発表しました。両社の研究者は、業界で初めて PCM アレイを積層し、単一のプロセッサー・ダイ上に集積する技術を開発しました。この研究はランダム・アクセス・メモリーおよびストレージ・アプリケーションにおける、より大容量かつ低消費電力で、実装密度を最適化する高速メモリー機器の開発への新たな一歩となります。
今回発表の研究成果は、積層型 PCM セル・アレイの研究に取り組むニューモニクスとインテルによる共同研究によるもので、これにより PCM（S）と呼ばれる垂直統合型のメモリー・セルを製造することが可能になります。PCM（S）では、1 つの相変化メモリー要素と新たに採用されたオボニック閾値スイッチ（OTS）を、クロスポイント型アレイに配置しています。PCM（S）アレイの積層化技術は、PCM の性能特性を維持しながら、メモリーの高密度化の拡張性も確保できるようにします。これは、従来のメモリー技術では非常に難しい課題でした。
インテル コーポレーション インテル・フェロー 兼 メモリー技術開発担当ディレクターのアル・ファジオは「我々はコンピューティング・プラットフォームを推進するために、引き続きメモリーの技術開発を行います。我々はこの研究成果に自信を持っており、PCM などコンピューティング・ソリューションにおけるメモリーの役割を向上させ、性能とメモリーを拡大していくうえで、将来のメモリー技術は非常に重要だと考えています」と述べています。
ニューモニクス B.V. 上席技術フェローのグレッグ・アトウッドは「今回の研究成果は非常に有望だと考えています。この成果は、将来の PCM 製品におけるさらなる高密度化、拡張性のあるメモリー・アレイ、そして NAND と同様の利用モデルの可能性を示すものです。従来のフラッシュメモリー技術が物理的制限と信頼性の問題に直面するなか、携帯電話からデータセンターまでメモリーへの需要が拡大している状況において、これは重要な進展です」と述べています。
メモリー・セルは、ストレージ要素とセレクターの積層化で構築され、複数のセルがメモリー・アレイを構成します。ストレージ要素である PCM の従来のアレイは公開されていましたが、異なるセレクターを使用していました。しかしインテルとニューモニクスの研究者は、薄膜型の二端子 OTS をセレクターとして実装し、PCM の拡張に適した物理的および電気的特性を示しました。薄膜型 PCM（S）の互換性により、クロスポイント型メモリー・アレイの多層化が実現します。
積層アレイは、クロスポイント型アレイに集積された後、CMOS 回路と組み合わされ、復号化、検知、論理機能などが実現されます。この技術の重要な機能として、9 ナノ秒のリセット速度、100 万サイクルの耐久性、およびセルの設定および再設定モードの記述における 1 ボルトのダイナミック・レンジを実現しています。
メモリー・セル、クロスポイント型アレイに関する実験および成果に関する詳細は「A Stackable Cross Point Phase Change Memory」にて出版され、米国メリーランド州ボルチモアで 2009 年 12 月 9 日に開催される国際電子デバイス会議（IEDM）にて発表されます。インテルとニューモニクスが共同で研究論文を執筆し、インテル コーポレーション インテル主席エンジニアのダーチャン・カウが発表します。
インテルについて
シリコンの技術革新で世界をリードするインテルは、人々の仕事と生活をさらに豊かにする先進的な技術と製品を開発、イニシアチブを推進していきます。インテルに関する情報は、
http://www.intel.co.jpで入手できます。
ニューモニクスについて
ニューモニクスは統合的な NOR、NAND、RAM、相変化不揮発性メモリー技術と製品を揃え、携帯電話、データおよび組み込み機器市場で、顧客から高まるニーズに応えます。ニューモニクスは大容量で低消費電力のメモリー技術とパッケージング・ソリューションを世界中の顧客に提供します。ニューモニクスに関する情報は、
http://www.numonyx.co.jpをご参照ください。
以上
* インテル、Intel、Intel ロゴは、米国およびその他の国における Intel Corporation の商標です。
* その他の社名、製品名などは、一般に各社の商標または登録商標です。
