Informazioni sull'innovazione nel silicio

45 nm

I transistor dei più recenti processori Intel sono larghi appena 45 miliardesimi di metro. Sarebbe possibile disporre 2000 gate dei transistor affiancati per ottenere un diametro quasi equivalente a quello di un sottile capello umano. Tramite l'utilizzo dell'ossido di afnio in sostituzione del diossido di silicio (impiegato dagli anni '60), i nuovi transistor presentano una dispersione elettrica inferiore, producono meno calore e si accendono/spengono più rapidamente.

Con la densità quasi raddoppiata dei processori si ottengono notevoli miglioramenti delle prestazioni, una cache L2 fino al 50% più ampia e nuovi livelli di efficienza energetica innovativa. Innovativo in vari modi.

Gordon Moore lo definisce "il cambiamento più significativo nella tecnologia dei transistor degli ultimi 40 anni".

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32 nm

Un altro primato mondiale. Intel prevede di avviare la produzione con la tecnologia di processo a 32 nm nel 2009. Con transistor talmente piccoli che sarebbe possibile inserirne più di 4 milioni nel punto alla fine di questa frase, la Legge di Moore si dimostra ancora una volta valida.

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