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インテル® Solid-State Drive 910 シリーズ

究極のデータセンター向け SSD

インテル® Solid-State Drive 710 シリーズ - 優れた耐久性、性能、そしてデータ保護機能

概要

差し込むだけで簡単導入。PCIe* ベースのインテル® Solid-State Drive 910 シリーズは、究極の高性能、高耐久性、優れた柔軟性により、データセンターおよびクラウドストレージのイメージをがらりと変えます。

ハイ・パフォーマンス

インテル® Solid-State Drive 910 シリーズは、PCIe バスでサーバーの CPU に直結することにより、優れたストレージ・パフォーマンスを提供します。順次読み出し速度 2GB/s、順次書き込み速度 1GB/s という性能を備えており、従来のインテル® SATA 6Gb/s SSD に比べてストレージ・スループットが最大 4 倍に向上。サーバーの CPU 使用率が高まり、データセンター仮想化やオンライン取引、クラウド・コンピューティングのパフォーマンスが高速化されます。重要なデータがシステムの CPU に直接、より高速に送り込まれ、短時間でより多くのデータを転送できるため、サーバーやストレージアレイの応答性が向上します。

高耐久性

インテル® SSD 910 シリーズには、数十年に及ぶインテルのメモリー・エンジニアリングの経験と、高耐久性技術 (HET) による SSD 管理機能が盛り込まれており、標準的な SSD に比べて耐久性が 30 倍に向上しています。インテル® SSD 910 シリーズ HET ソリューションでは、特に耐久性を高めた 25nm マルチレベル・セル (MLC) インテル® NAND 型フラッシュメモリーと SSD 管理テクノロジーを採用。HET MLC NAND は、NAND 製造プロセス、回路設計、テストの最適化により、標準的な MLC インテル® NAND を上回る書き換え限度回数を実現しています。また、インテル® SSD コントローラーおよびファームウェアの強化により、NAND の摩耗やエラーを低減し、システムレベルのエラー管理機能を提供します。このため、インテルのデータセンター向け 25nm MLC NAND ストレージ・ソリューションでは、データセンター・ストレージを長寿命化し、コスト効果を高めることが可能になります。

導入が簡単

インテル® SSD 910 シリーズの高度なアーキテクチャーは、インテル® SSD コントローラー、ファームウェア、25nm MLC インテル® NAND 型フラッシュメモリー・テクノロジーの採用により極めて高いスループットを実現し、15K RPM ハードディスク・ドライブ (HDD) を大幅に上回るパフォーマンスを提供します。800GB のインテル® SSD 910 シリーズでは、PCIe ホスト・バス・アダプター (HBA) に接続された 8 台のショートストローク RAID 構成の 10K RPM SAS HDD に比べて、順次読み出し性能が 60% 向上し、60 倍のランダム読み出し性能、20 倍のランダム書き込み性能を達成。加えて、設置面積は 5 分の 1に、消費電力は 2.5 分の 1 に削減できます。インテル® SSD 910 シリーズは導入が容易で、導入後も既存のサーバー設計を変更することなく、サーバーストレージをシームレスにアップグレードすることが可能です。PCIe スロットに差し込み、ドライバーをロードし、システムを再起動するだけで、 HBA の設定や配線、ハードウェアの配置は不要。ストレージを階層化して、頻繁に使用するファイルに超高速でアクセスできます。

その他のインテル® SSD 製品

製品仕様:パフォーマンス

ランダム読み出し / 書き込み IOPS (1 秒当たりの入出力回数)

仕様1 単位 400 GB 800 GB
ランダム 4 KB 読み出し (最大) IOPS 90,000 180,000
ランダム 4 KB 書き込み (最大) IOPS 38,000 75,000

追加情報: 1

 

最大順次読み出し / 書き込み帯域幅

仕様2

単位 400 GB 800GB
順次読み出し (最大)

MB/s

1000

2,000

順次読み出し (最大)

MB/s

750

1,000

追加情報: 2

 

遅延時間3

仕様 400 GB 800 GB
読み出し4 < 65 μs (標準)
書き込み5 < 65 μs (標準)

追加情報: 4, 5

関連情報

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製品と性能に関する情報

open

1. パフォーマンスは、Iometer* を使用し、キューの深さを 32 として、NAND モジュール単位で測定しました。測定は、ドライブのすべての LBA を対象に実施しました。ランダムのワークロードは、4 個/2 個の NAND モジュール (800 GB/400 GB) で同時に実行しました。パフォーマンスの測定値は、すべての NAND モジュールの値を合計したものです。パフォーマンスの仕様は、圧縮できるデータと圧縮できないデータの両方に該当します。


2. パフォーマンスは、Iometer* を使用し、転送サイズを 128 KB (131,072 バイト)、キューの深さを 32 として、NAND モジュール単位で測定しました。ワークロードは、4 個/2 個の NAND モジュール (800 GB/400 GB) で同時に実行しました。パフォーマンスの測定値は、すべての NAND モジュールの値を合計したものです。パフォーマンスの仕様は、圧縮できるデータと圧縮できないデータの両方に該当します。


3. 値はアプリケーション・レベルの往復レイテンシーを示しています。


4. Iometer* を使用して測定。レイテンシーは、転送サイズをシーケンシャル 512 B、キューの深さを 1 として、NAND モジュール単位で測定しました。


5. Iometer* を使用して測定。レイテンシーは、転送サイズをシーケンシャル 4 KB、キューの深さを 1 として、NAND モジュール単位で測定しました。