在提高性能和能效方面的革命性突破
英特尔的 32 纳米工艺目前已投入批量生产，这些工艺是制造技术持续演化的一部分。凭借每两年引入一项新的工艺系列，英特尔制造技术促进了产品性能和能效的提高。
创新性的 32 纳米逻辑技术是一项革命性的突破。该技术采用第二代高介电常数金属栅极晶体管，可以实现创记录的 NMOS 和 PMOS 晶体管性能（按驱动电流测量）。它还具有任何 32 纳米或 28 纳米技术中最高的已知密度（按 SRAM 阵列密度和栅极间隔测量）。
英特尔还开发了一种全功能的片上系统 (SOC) 32 纳米工艺技术以补充该逻辑技术。这种新技术将超低功耗晶体管与低待机/始终通电电路应用及高压 I/O 晶体管集成。它支持开发占用空间小得多并且更加强健的高能效可扩展计算设备。作为英特尔 Tick-Tock 模式的一部分，英特尔工程师和科学家将继续在开发每种逻辑工艺的同时开发 SOC 工艺。
摩尔定律和未来
英特尔的® 32 纳米工艺会继续按摩尔定律的预期发展，改变我们的生活、工作和交流的方式。有了突破性的 32 纳米逻辑技术，用户将体验到更快的处理速度、更好的能效、更大的计算能力、更好的功能以及对更加复杂的应用的支持。
进一步阅读
采用第二代高介电常数金属栅极晶体管的英特尔® 32 纳米逻辑工艺是一项世界第一。本白皮书（英文）提供了概述。
