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Unidade de Estado Sólido Intel® Série 910: Sem dificuldade. Só felicidade.

A última palavra em SSD para centro de dados

Unidade de Estado Sólido Intel® série 710 – Resistência. Desempenho. Proteção dos dados.

Visão geral

Basta plugar. A Unidade de estado sólido Intel® baseada em PCIe* habilita uma maneira totalmente nova de ver o centro de dados e o armazenamento de cloud computing com desempenho avançado, grande resistência e excelente flexibilidade.

Alto desempenho

A Unidade de estado sólido Intel® Série 910 leva excelente desempenho de armazenamento diretamente para a CPU do servidor através do barramento PCIe. Com largura de banda de até 2 gigabytes por segundo (GB/s) para leitura sequencial e 1GB/s para gravação sequencial, a taxa de transferência para armazenamento é até 4X mais rápida do que as SSDs Intel SATA 6Gb/s anteriores. A utilização da CPU do servidor alcança novos níveis - acelerando a virtualização do centro de dados, transações on-line e cloud computing. As matrizes de servidor e de armazenamento tornam-se mais ágeis quando os dados críticos são alimentados mais rapidamente diretamente para a CPU do sistema, transferindo mais dados em menos tempo.

Grande resistência

A SSD Intel Série 910 está fundamentada em décadas de experiência em engenharia de memória e gerenciamento de SSD utilizando Tecnologia de Alta Resistência (HET) para proporcionar resistência 30X maior do que as SSDs com resistência padrão. A solução HET da SSD Intel Série 910 combina memória flash Intel® NAND com célula de múltiplos níveis (MLC) de 25 nm com as técnicas de gerenciamento de SSD. A memória NAND com MLC da HET beneficia-se de um processo de fabricação de NAND otimizado, design de circuito e otimização de testes para tornar os ciclos programar/apagar maiores do que os da NAND Intel MLC. Além disso, o controlador e o firmware da SSD Intel são aprimorados para oferecer menor desgaste da memória NAND, redução de erros da NAND e gerenciamento de erros do sistema. O resultado é uma solução Intel de NAND com MLC de 25 nm para o armazenamento do centro de dados que oferece durabilidade do armazenamento do centro de dados e economia.

Fácil implantação

A arquitetura avançada da SSD Intel Série 910 utiliza controladores e firmware da SSD Intel® e tecnologia de memória flash Intel NAND com MLC de 25 nm para proporcionar taxa de transferência extremamente elevada - superando em muito os discos rígidos (HDDS) de 15 k rpm. A Série Intel SSD 910 de 800GB oferece 60% de aumento no desempenho de leitura sequencial com leitura aleatória 60X maior e gravação aleatória 20X maior do que oito HDDS SAS de curso curto, 10k rpm com RAID conectados a um adaptador de barramento host PCIe (HBA)1. Além disso, a SSD Intel Série 910 consome 5X menos espaço e 2,5X menos energia. A SSD Intel Série 910 é fácil de instalar, fornecendo uma atualização do armazenamento no servidor pós implantação estável, sem qualquer alteração no design do servidor existente. É só plugar em um slot de PCIe, carregar drivers e reinicializar o sistema. A configuração HBA, cabeamento e arranjos de hardware são eliminados. O armazenamento em camadas desperta com acesso extremamente rápido aos arquivos mais utilizados!

Outras Intel SSDs

Especificações do produto Desempenho

Operações de entrada/saída por segundo (IOPS) de leitura e gravação randômicas

Especificação 1 Unidade 400 GB 800 GB
Leitura aleatória (até) 4 KB IOPS 90.000 180.000
Gravação aleatória (até) 4 KB IOPS 38.000 75.000

Informações adicionais: 1

 

Largura de banda máxima para leitura e gravação sequenciais

Especificação2

Unidade 400 GB 800 GB
Leitura sequencial (até)

MB/s

1000

2.000

Leitura sequencial (até)

MB/s

750

1.000

Informações adicionais: 2

 

Latência3

Especificação 400 GB 800 GB
Leitura4 < 65 μs (TYP)
Gravação5 < 65 μs (TYP)

Informações adicionais: 4, 5

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Informações de produto e desempenho

open

1. Desempenho medido pelo Iometer* com profundidade de fila igual a 32 por módulo de memória NAND. Medidas realizadas com alcance de LBA completo da unidade. Execução aleatória da carga de trabalho em módulos NAND 4/2 (800 GB/400 GB) simultaneamente. O desempenho medido é agregado em todos os módulos de memória NAND. As especificações de desempenho aplicam-se tanto aos dados compactáveis como não compactáveis.


2. Desempenho medido pelo Iometer* com tamanho de transferência de 128 KB (131.072 bytes) e Profundidade de Fila igual a 32 por módulo de memória NAND. Execução da carga de trabalho em módulos NAND 4/2 (800 GB/400 GB) simultaneamente. O desempenho medido é agregado em todos os módulos de memória NAND. As especificações de desempenho aplicam-se tanto aos dados compactáveis como não compactáveis.


3. Os valores representam a latência de ida e vinda no nível do aplicativo.


4. Dispositivo medido pelo Iometer*. Latência medida usando transferência sequencial de tamanho 512 B com Profundidade de Fila 1 e medida de acordo com módulo de memória NAND.


5. Dispositivo medido pelo Iometer*. Latência medida usando transferência sequencial de tamanho 4 KB com Profundidade de Fila 1 e medida de acordo com módulo de memória NAND.