Según la Ley de Moore, la cantidad de transistores de un chip apenas se duplica cada dos años, lo que supone más características, rendimiento incrementado y costes reducidos por transistor. A medida que los transistores son más pequeños, evolucionan más factores como la disipación del calor y la energía. Como resultado, la implementación de nuevas características, técnicas y estructuras es imperativa para continuar esta progresión. Intel ha tratado estos retos integrando características de ahorro de energía en la tecnología de proceso de 65 nm. Estas características son críticas para ofrecer productos informáticos y de comunicación con potencia eficaz en el futuro.
La tecnología de primer nivel de Intel basada en el silicio deformado 
, implementada por primera vez en nuestra tecnología de proceso de 90 nm, se ha mejorado en la tecnología de 65 nm. La segunda generación de silicio deformado de Intel incrementa el rendimiento del transistor entre un 10 y un 15 por ciento, sin incremento de fugas. Por el contrario, estos transistores pueden reducir las fugas al cuádruple manteniendo un rendimiento constante en comparación con los transistores de 90 nm. Como resultado, los transistores de la tecnología de proceso de 65 nm han mejorado el rendimiento sin incrementos de fugas significativos (una mayor fuga de corriente eléctrica ocasiona una mayor generación de calor).
Los transistores de 65 nm de Intel poseen una longitud de puerta reducida de 35 nm y un grosor de óxido de puerta de 1,2 nm, lo que se combina para ofrecer un rendimiento mejorado y una capacitancia reducida de puerta. La capacitancia reducida de puerta reduce en última instancia la potencia activa del chip. El nuevo proceso también integra ocho capas de interconexión de cobre (ver imagen) y utiliza un material dieléctrico "de poco contraste" que incrementa la velocidad de la señal dentro del chip y reduce el consumo de energía del chip.
También se han implementado "transistores de estado de espera" en la memoria SRAM de 65 nm. Los transistores de estado de espera desconectan el flujo de corriente de los bloques grandes de la memoria SRAM cuando no se utilizan, eliminando así una considerable fuente de consumo de energía en un chip. Esta característica resulta especialmente beneficiosa para los dispositivos que necesitan ahorrar energía, como los portátiles.
"Intel ha trabajado activamente en los retos de disipación de calor y energía que afronta el sector de los semiconductores," afirma Chou. "Hemos realizado un enfoque holístico desarrollando soluciones que implican a sistemas, chips y tecnologías así como incluyen innovaciones en nuestra tecnología de 65 nm que van más allá de la simple extensión de las tecnologías anteriores."
