Полупроводниковая технология Intel

    
Корпорация Intel поставила перед собой задачу продолжить создание инновационных производственных технологий в соответствии с законом Мура, совершая прорывы в области производительности, энергосбережения и экономии для конечного пользователя.

Полупроводниковая производственная технология

32-нанометровая производственная технология  
Узнайте, как корпорация Intel продемонстрировала первую в мире память SRAM на базе 32-нанометровой логической технологии, содержащей более 1,9 миллиардов транзисторов второго поколения с металлическими затворами и диэлектриками high-k.

45-нанометровая производственная технология  
Посмотрите, как корпорация Intel использовала новые материалы в новой 45-нанометровой производственной технологии с диэлектриками high-k и металлическими затворами.

65-нанометровая производственная технология 
Узнайте больше о двухъядерных и четырехъядерных процессорах на базе 65-нанометровой производственной технологии.

История полупроводниковых технологий

Проследите эволюцию полупроводниковых технологий с момента изобретения полупроводников в 1947 году до появления современных многоядерных процессоров с высочайшей производительностью.
  1. 60 лет транзистору: 1947-2007  (PDF, 216 КБ)

Исследования в области полупроводниковых технологий

Исследования полупроводниковых технологий
Intel
  
Узнайте, как корпорация Intel исследует трехмерные транзисторы, материалы III-V поколения, углеродные нанотрубки и полупроводниковые нанопровода для создания будущих транзисторов и интерфейсов с высокой производительностью и низким энергопотреблением.

¹ В 45-нанометровой производственной технологии не используется свинец. Не содержит свинца в соответствии с директивой ЕС RoHS (2002/95/EC, приложение A). Некоторые исключения из правил директивы RoHS ЕС могут относиться к другим компонентам, используемым в продукции

² Остающееся количество галогенов ниже, чем указанное в предложенных в ноябре 2007 г. стандартах IPC/JEDEC J-STD-709
    К началу страницы