MADRID, 26 de enero de 2006 – Intel Corporation ha anunciado que es la primera compañía en alcanzar un hito importante en el desarrollo de la tecnología lógica de los 45 nanómetros (nm). Intel ha producido lo que se cree que son los primeros procesadores SRAM (Static Random Access Memory) totalmente operativos y elaborados con la tecnología de fabricación de 45 nm, un proceso de fabricación en volumen de semiconductores de próxima generación.
La consecución de este hito significa que Intel se encuentra en buen camino para fabricar procesadores con esta tecnología en el año 2007, utilizando para ello obleas de 300 mm, y continúa el objetivo de la compañía de ampliar los límites de la Ley de Moore, introduciendo una nueva generación de tecnología de fabricación cada dos años.
Actualmente, Intel lidera la industria en producción en volumen de semiconductores con la tecnología de fabricación de 65 nm, con dos plantas de fabricación de procesadores que utilizan esta tecnología en Arizona y Oregon, y con dos fábricas más que estarán operativas este año en Irlanda y Oregon.
“Ser el primero en tecnología de fabricación de 65 nm de volumen y el primero en el desarrollo del primer procesador creado con tecnología de 45 nm, pone de manifiesto el posicionamiento de liderazgo de Intel en fabricación y tecnología de procesadores”, ha afirmado Bill Holt, vicepresidente y director general del Grupo de Fabricación y Tecnología de Intel. “Intel tiene un largo historial en la transformación de grandes avances tecnológicos en beneficios tangibles y apreciables por las personas. Nuestra tecnología de fabricación de 45 nm establecerá la base para proporcionar PCs con un mejor rendimiento por vatio que mejorarán la experiencia del usuario.”
La tecnología de fabricación de 45 nm de Intel permitirá la creación de procesadores que reducirán más de cinco veces las fugas de energía, en comparación con las unidades que se fabrican hoy en día. Esto ampliará la duración de la batería de dispositivos móviles y aumentará las oportunidades para el desarrollo de plataformas más pequeñas y potentes.
El procesador SRAM elaborado con tecnología de 45nm tiene más de 1.000 millones de transistores. Aunque no estaba destinado a ser comercializado como producto Intel, el SRAM muestra el rendimiento tecnológico, los beneficios del proceso y la fiabilidad del procesador antes de la producción de procesadores y otras unidades lógicas utilizando la tecnología de fabricación de 45 nm. Es un primer paso clave en la evolución hacia la fabricación en volumen de los dispositivos más complejos del mundo.
Además de las capacidades de fabricación de su planta D1D en Oregon, donde están en marcha los primeros trabajos de la compañía con tecnología de 45nm, Intel ha anunciado que se encuentran en construcción dos nuevas fábricas para la elaboración en volumen de procesadores con tecnología de 45nm: la Fab 32 en Arizona y la Fab 28 en Israel.
Intel, el líder mundial en innovación de silicio, desarrolla tecnologías, productos e iniciativas para mejorar continuamente la forma de trabajo y de vida de las personas. Para más información, visite la dirección www.intel.es
o www.intel.es/pressroom

Para escuchar la entrevista grabada con Mark Bohr, miembro senior de Intel, haga clic en el canal Fabricación (“Manufacturing”) en http://intel.feedroom.com
