САНТА-КЛАРА, Калифорния, 20 сентября 2005 года. Корпорация Intel разрабатывает на основе высокоэффективной 65-нанометровой* технологии производственный процесс для решений со сверхнизким энергопотреблением, который позволит создавать экономичные процессоры для мобильных платформ и компактных устройств. Производственный процесс для продукции со сверхнизким энергопотреблением станет вторым процессом корпорации Intel с применением
65-нанометровой технологии.
Решения, созданные по высокопроизводительной
65-нанометровой технологии Intel, превосходят ныне используемый корпорацией передовой 90-нанометровый производственный процесс и по производительности, и по энергопотреблению. 65-нанометровая технология со сверхнизким энергопотреблением предоставит инженерам Intel дополнительные возможности для более плотного размещения компонентов, повышения производительности и снижения энергопотребления, в чем так нуждаются пользователи устройств, работающих от аккумуляторов.
«Пользователи предпочитают мобильные платформы, обладающие более длительным сроком автономной работы, и наш новый производственный процесс позволит значительно улучшить этот показатель, — заявил Мули Иден (Mooly Eden), вице-президент и генеральный менеджер отделения Mobile Platforms Group корпорации Intel. — В будущих мобильных платформах Intel мы постараемся в максимально возможной степени воплотить все преимущества обоих передовых
65-нанометровых процессов».
Одним из факторов, способствующих снижению энергопотребления процессоров, является оптимизация структуры транзистора. Утечки электричества из микроскопических транзисторов, происходящие даже тогда, когда транзистор находится в закрытом состоянии, досаждают целой отрасли.
«Число транзисторов, интегрируемых в некоторые микросхемы, уже превышает один миллиард, и никто из нас не сомневается в том, что оптимизация, выполненная на уровне отдельных транзисторов, может вылиться в огромные преимущества на уровне целой системы, — говорит Марк Бор (Mark Bohr), старший заслуженный инженер-изобретатель корпорации Intel, директор отделения Process Architecture and Integration. — Тестовые микросхемы, изготовленные нами с использованием
65-нанометровой производственной технологии Intel со сверхнизким энергопотреблением, показали, что благодаря ей утечка электричества снижается примерно в тысячу раз в сравнении с нашим стандартным процессом. Это позволит нам создавать устройства, потребляющие значительно меньше энергии».
65-нанометровая производственная технология Intel для решений со сверхнизким энергопотреблением
65-нанометровая технология Intel со сверхнизким энергопотреблением включает в себя несколько важных изменений, которые позволят производить экономичные электронные компоненты, обладающие ведущими для отрасли показателями производительности. Эти изменения значительно сокращают три основных вида утечки носителей заряда в транзисторах: субпороговую утечку, утечку через переходы и утечку через оксидный слой затвора, — что снижает энергопотребление и продлевает срок автономной работы систем.
О 65-нанометровой производственной технологии Intel
65-нанометровые производственные процессы Intel представляют собой сочетание высокопроизводительных экономичных транзисторов, технологии напряженного кремния второго поколения, восьми уровней высокоскоростных медных межсоединений и диэлектрического материала с низким коэффициентом k. Использование 65-нанометровых производственных процессов позволит корпорации Intel размещать на кристалле процессора вдвое больше транзисторов в сравнении с нынешней 90-нанометровой технологией.
65-нанометровые технологии Intel позволят также создавать транзисторы с размером затвора 35 нм, которые станут самыми миниатюрными и высокопроизводительными транзисторами CMOS, производимыми в массовых масштабах. Для сравнения: самые совершенные современные транзисторы, интегрированные в процессоры
Intel® Pentium® 4, имеют затвор размером 50 нм. Возможность создания миниатюрных и быстрых транзисторов — главное условие разработки и производства высокопроизводительных процессоров.
Кроме того, корпорация Intel интегрировала в 65-нанометровые производственные процессы высокопроизводительную технологию изготовления напряженного кремния второго поколения. Эта технология позволяет ускорить движение электронов и, как следствие, повысить быстродействие транзисторов. При этом стоимость производства возрастает всего лишь на 2 процента.
Для получения дополнительной информации о технологиях Intel посетите страницу
www.intel.com/technology
.
