Flash NAND Multi-Level Cell a 50 nanometri, un nuovo traguardo raggiunto grazie agli impegni nello sviluppo delle due aziende
ASSAGO (Milano), 26 aprile 2007 – Intel Corporation e Micron Technology, Inc., hanno avviato la fase di campionatura della memoria flash NAND multi-level cell (MLC) a 50 nanometri (nm). Un nuovo importante traguardo di IM Flash Technologies , la joint venture tra le due aziende per il settore delle memorie flash NAND.
I componenti della nuova memoria flash NAND MLC, caratterizzano un die e una dimensioni di cella all’avanguardia, ideali per l’impiego nei dispositivi elettronici di elaborazione e dell’elettronica di consumo, sempre più piccoli e sempre più efficienti. La tecnologia MLC a 50 nm, disponibile in campioni con densità di die di 16 gigabit (Gb), si aggiunge ai prodotti single-level cell (SLC) a 50 nm con densità di die di 4 Gb già annunciati e presenti sul mercato.
Il nuovo prodotto NAND MLC corona un anno di attività produttiva che ha visto Intel e Micron, fortemente impegnate nella realizzazione di una rete di impianti produttivi di memoria flash basata sulla tecnologia a 300 millimetri (mm) e nello sviluppo di prodotti di memoria flash NAND al di sotto dei 40 nm.
“In un solo anno, Micron e Intel hanno sviluppato un prodotto MLC di memoria flash NAND all’avanguardia nel settore creando un’importante rete produttiva che è già a pieno regime”, ha dichiarato Mark Durcan, Chief Operating Officer di Micron. “Siamo entusiasti dei risultati che abbiamo ottenuto con Intel, e ci auguriamo di raggiungere nuovi traguardi nel corso del prossimo anno”.
“Il livello raggiunto nel primo anno dalla joint venture con Micron per sviluppare un’architettura all’avanguardia nel settore, ha superato di gran lunga le nostre aspettative”, ha affermato Randy Wilhelm, Vice President di Intel e General Manager del NAND Products Group. “Nel luglio dell’anno scorso, Intel e Micron sono state le prime aziende del settore a introdurre sul mercato campioni di prodotti NAND SLC a 50 nm. Il processo di sviluppo dell’architettura MLC a 50 nm più avanzata del settore costituisce una prova ulteriore della forza di questa alleanza”.
Unitamente alla produzione di prodotti flash NAND negli impianti Micron di Boise in Idaho, e Manassas in Virginia, la joint venture, da febbraio, ha avviato la produzione di waferda 300 mm in un impianto a Lehi nello Utah. Le due aziende, hanno recentemente annunciato il progetto di avviare un nuovo impianto produttivodi IM Flash a Singapore.
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