מדענים בחברת אינטל בנו את תא הזכרון הקטן ביותר בעולם מסוג SRAM (זיכרון בגישה אקראית סטטית), שמידתו מקרון ריבועי אחד בלבדm2F) 1).
תאים אלה, שהם אבני היסוד לבניית שבבי זיכרון, נבנו כחלק פונקציונאלי במלואו של שבבי זיכרון מסוג SRAM שיוצרו תוך שימוש בטכנולוגית הייצור-90 ננומטר(nm) ננומטר הוא אחד חלקי מיליארד של המילימטר של אינטל, שהיא טכנולוגית הדור הבא, עובדה המוכיחה שהתהליך החדש נמצא בדרכו להיכנס לייצור בשנת 2003.
הפיתוח הוכרז בתערוכת המחשבים סביט הנערכת בימים אלה בגרמניה.
"עם תא ה-SRAM בשטח 1 מיקרון רבוע ייצרנו אמת מידה חדשה לצפיפות בטכנולוגית הסיליקון" אמר סנלין צ'ו, סמנכ"ל בכיר ומנהל כללי של קבוצת הטכנולוגיה והייצור של אינטל. "תוצאה זאת נותנת לנו מקדמה בתהליך הטכנולוגי בייצור מיקרו-מעבדים ומוצרים אחרים."
אינטל עומדת בקצב לקראת שימוש בטכנולוגית 90 הננומטר (90nm) החדשה שלהם בשנה הבאה, תוך המשך ההישג בן 12 השנים שלהם בו הם מציגים טכנולוגיה חדשה כל שנתיים.
מדעני המחקר של אינטל בנו שבבים של 52 מגה-ביט, הדחיסות הגבוהה ביותר של שבבי SRAM שדווחה אי פעם, המכילים 330 טרנזיסטורים על שבב שגודלו 109 מילימטר ריבועי בלבד (קטן יותר ממטבע של 10 סנט). המדענים בנו את השבבים האלה במפעל אינטל לייצור שבבי זיכרון של 300 מילימטר בהילסבורו, אורגון, וכינו אותם בשם
DIC, תוך שימוש בשילוב כלי תדפיס מתקדמים של 248 ו-193 ננומטר.
משתמשים בבניית שבבי SRAM באופן רגיל בתעשייה לבדיקת תהליכי ייצור לוגיים של הדור הבא. הגודל הזעיר של תא הזיכרון הוא משמעותי, מכיוון שזה יאפשר לאינטל לשפר את ביצועי המיקרו-מעבד באפן שהוא גם מוצלח מבחינת עלות/תועלת, ע"י הוספת זיכרון קש בשבב והגדלת דחיסות הלוגיקה הכללית. שבבי ה- SRAM הפועלים ממחישים
יישום מוצלח של כל מרכיבי הייצור של תהליך ה-90nm הדרוש לייצור מיקרו-מעבדים, כולל ייצור טרנזיסטורים ליכולת ביצוע גבוהה ומחברי נחושת.
