Paris – Intel
Corporation vient de conclure la phase de développement de son prochain procédé
de gravure, qui verra la taille des circuits de ses puces électroniques tomber
à 32 nanomètres. La mise en production de ces composants encore plus
économes en énergie, plus denses et plus performants devrait intervenir comme
prévu au quatrième trimestre 2009.
La société fournira des
informations techniques détaillées sur ce nouveau procédé de gravure ainsi que
sur d’autres sujets à l’occasion des rencontres IEDM (International Electron
Devices Meeting) qui auront lieu la semaine prochaine à San Francisco.
La conclusion de la phase de
développement de sa technique de gravure en 32 nm et le respect du
calendrier de production correspondant devraient ainsi lui permettre de se
conformer une fois de plus à son rythme d’innovation « pendulaire »
(stratégie « tic-toc »). Il s’agit du lancement d’une
microarchitecture de processeurs entièrement nouvelle une année sur deux et,
l’année intervallaire, celui d’une nouvelle technique de production, comme
c’est le cas ici. La société est d’ailleurs la seule de son secteur à maintenir
une telle cadence, la production de puces gravées en 32 nm devant ainsi
marquer la quatrième année consécutive où celle-ci est effective.
La gravure en 32 nm résulte
d’une technologie logique qui fait appel à un matériau à forte permittivité
électrique (« high k ») de deuxième génération pour la porte des
transistors, d’un procédé de lithographie par immersion en 193 nm pour les
couches de modelage des contours ainsi que de techniques d’étirement améliorées
pour les transistors. Ces trois caractéristiques conjuguées se traduiront par
des processeurs plus performants et plus économes en énergie, dont la densité
en transistors sera la plus élevée du secteur pour cette finesse de gravure.
Mark Bohr, Intel Senior Fellow et
directeur de la division Process Architecture & Integration d’Intel :
« Cette nouvelle prouesse dans les techniques de fabrication et les produits
pour les micro-ordinateurs et les serveurs qui en résulteront confortent notre
avance dans les performances informatiques, le rendement électrique et, dans le
cas des PC portables, dans l’autonomie sur batterie. Comme nous l’avons
démontré cette année, notre stratégie de production nous a également permis de
proposer des lignes de produits entièrement nouvelles pour les PC de poche,
l’électronique grand public, l’informatique embarquée et les netbooks. »
Les autres communications d’Intel
aux rencontres IEDM porteront sur une puce SoC (System on a Chip,
« système monopuce ») plus économe en énergie parce que gravée en
45 nm, sur des transistors à base de semi-conducteurs composites, sur
l’association de la planarisation mécano-chimique (Chemical Mechanical
Polishing, CMP) aux procédés de gravure en 45 nm et en deçà ainsi que sur
l’intégration aux puces d’une matrice de modulateurs photoniques. Toujours dans
le cadre de cette manifestation, Intel participera également à un cours sur la
technologie CMOS en 22 nm.
Intel Corporation (NASDAQ : INTC)
Numéro un mondial du circuit intégré et du
semi-conducteur, Intel met au point des technologies, élabore des produits et
entreprend des actions pour faire progresser en permanence les modes de vie et
de travail. Des informations complètes sur la société sont disponibles sur le
site Internet d’Intel à partir de la page www.intel.fr
ou blogs.intel.com 
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