Paris – Les sociétés Intel et Numonyx ont fait part aujourd’hui d’une avancée
déterminante dans leurs recherches sur la mémoire à changement de phase (Phase
Change Memory, PCM), nouvelle technologie de mémoire non volatile qui conjugue
les avantages respectifs des divers types de supports existants. Les chercheurs
ont en effet effectué la démonstration, pour la première fois, d’une puce de
test de 64 Mo où sont empilées plusieurs couches de matrices (arrays)
de PCM. Cette avancée promet la réalisation d’unités de mémoire vive et de
masse de plus grande capacité, à plus faible consommation électrique, le tout
pour un encombrement minimal.
Elle
résulte d’un programme de recherches conjoint et continu de Numonyx et Intel,
dont l’objet est les matrices de cellules mémoires PCM multicouches. C’est dans
ce cadre que les chercheurs ont été aujourd’hui en mesure de présenter une
cellule mémoire à intégration verticale, baptisée PCMS (Phase Change Memory and
Switch) et composée d’un élément PCM ainsi que d’une couche de commutation OTS
(Ovonic Threshold Switch) pour former une véritable matrice de points de croisement
(cross point array). La capacité d’empiler des couches de PCMS permet de
densifier la mémoire tout en conservant les caractéristiques de performances
des PCM, ce qui est de plus en plus difficile à obtenir avec les technologies
mémoire classiques.
Al Fazio,
Intel Fellow et Directeur du développement des technologies mémoire chez
Intel : « Nous continuons à développer le pipeline technologique pour
les mémoires afin de faire progresser la plate-forme informatique. Les
résultats de ces recherches nous encouragent dans nos travaux, car nous
considérons que les futures technologies mémoire telles que celle des PCMS sont
essentielles pour consolider le rôle de la mémoire dans les solutions
informatiques ainsi que pour élargir les possibilités de gains de performances
et de dimensionnement dans ce domaine. »
Greg
Atwood, Senior Technology Fellow chez Numonyx : « Ces résultats sont
extrêmement prometteurs. Ils montrent tout le potentiel de matrices mémoire
plus denses et dimensionnables ainsi que les possibilités d’utiliser des
produits PCM comme de la mémoire NAND. Or c’est là une donnée très importante,
car les technologies classiques de mémoire flash sont en butte à certaines
limites physiques et problèmes de fiabilité, alors même que la demande en
mémoire continue d’augmenter à tous les niveaux, des téléphones mobiles
jusqu’aux centres de données. »
Les
cellules mémoire se composent d’un élément de stockage et d’un sélecteur,
empilés et regroupés en matrices. Intel et Numonyx sont ainsi parvenus à mettre
au point un sélecteur OTS en couche mince et à deux terminaux, dont les
propriétés physiques et électriques restent en adéquation avec les PCM
lorsqu’on en multiplie le nombre. Avec la compatibilité des PCMS à couche
mince, on peut à présent obtenir plusieurs couches de matrices mémoire de
points de croisement. Après intégration à une vraie matrice de points de
croisement, les matrices empilées sont associées à des circuits CMOS pour les
fonctions de décodage, de captage et logiques.
On
trouvera de plus amples renseignements sur celle nouvelle cellule mémoire, sur
les matrices de points de croisement, sur l’expérience et ses résultats dans un
article conjoint, intitulé « A Stackable Cross Point Phase Change
Memory », qui sera présenté à l’occasion de l’édition 2009 de
l’International Electron Devices Meeting de Baltimore (Maryland), le
9 décembre. Coécrit par des technologues d’Intel et Numonyx, cet article
sera présenté par DerChang Kau, Senior Principal Engineer d’Intel.
Intel
Numéro un mondial du
circuit intégré et du semi-conducteur, Intel met au point des technologies,
élabore des produits et entreprend des actions pour faire progresser en
permanence les modes de vie et de travail. Des informations complètes sur la
société sont disponibles sur le site Internet d’Intel à partir de la page www.intel.fr ou blogs.intel.com 
.
Numonyx
Numonyx propose une gamme complète de
technologies de mémoire non volatile NOR, NAND, RAM et à changement de phase,
qui viennent répondre aux besoins toujours plus pointus des clients des
créneaux du cellulaire, des données et de l’informatique embarquée.
L’entreprise se consacre à des technologies mémoire haute densité et basse
consommation ainsi que des solutions de conditionnement pour ses clients du
monde entier. Informations complémentaires : www.numonyx.com .
