Feldkirchen/Santa Clara, 4. April 2006 – Intel liefert bereits Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner Multi-Level Cell NOR-Flash-Speicher aus. Die Chips werden die ersten auf dem Markt sein, die mit 65nm-Technologie gefertigt wurden und über eine Speicherdichte von 1 Gigabit verfügen. Zum Einsatz kommen Intels NOR-Flash-Speicher beispielsweise in Mobiltelefonen als Speicher für Anwendungen, PIM-Daten (Personal Information Management) sowie Fotos, Musik oder Videos.

Handy-Hersteller, die Intels Produkte einsetzen, profitieren von der einheitlichen Flash-Architektur der Speicherchips, da diese die Migration von 90nm- auf 65nm-Fertigung erleichtert.

„Mit den neuen Flash-Produkten bietet Intel die derzeit fortschrittlichsten NOR-Flash-Speicher für den breiten Handymarkt und baut seinen Vorsprung im Markt weiter aus“, erläutert Brian Harrison, Intel Vice President und General Manager der Flash Memory Group. „Unsere 65nm-Fertigungstechnologie wird die Performance unserer Flash Speicher verbessern und den Weg für funktionsreichere Handys ebnen.“

Intel produziert bereits seit der zweiten Jahreshälfte 2005 Halbleiter auf Basis des Herstellungsverfahrens mit 65nm Strukturbreite und liefert 65nm-Prozessoren für Notebooks, Desktop-Computer, Server und Embedded-Anwendungen.

Intel, das weltweit führende Unternehmen im Bereich Halbleiterinnovation, entwickelt Technologien, Produkte und Initiativen, um Leben und Arbeit der Menschen laufend zu verbessern. Weitere Informationen über Intel finden Sie unter www.intel.de/pressroom.