2008 年 12 月 10 日 – 英特爾公司已完成新一代製程的開發，該製程可將晶片線路進一步縮小至32奈米 (nm)， 一奈米相當於一米的十億分之一。英特爾將依計畫於 2009 年第四季運用這種新世代製程技術投產，以推出更大能源效率、 更高密度、效能更強的電晶體。

英特爾預計下週在美國舊金山舉辦的國際電子元件會議 (International Electron Devices meeting, IEDM) 中， 進行簡報公佈更多與 32nm 製程相關的技術細節，以及其他相關主題。英特爾依既定時程完成 32nm 製程開發與投產準備， 意味著該公司依循其 “tick-tock” (鐘擺模式)策略，準時推出一系列更具企圖心的新產品和先進製程。

該計畫在於以約12個月為週期，交替推出全新處理器微架構，以及最先進製程，這是業界無與倫比的方案。 英特爾於明年進入32nm晶片生產代表著英特爾將連續四年達成其 “tick-tock” 的目標。

英特爾 32nm 論文與簡報所描述的技術將包括第二代 high-k、金屬閘極技術、重要圖層 (patterning layers) 採用 193nm 沉浸式微影技術 (immersion lithography) 、以及強化電晶體應變 (strain) 技術。這些功能可強化英特爾處理 器的效能與能源效率。英特爾製程所產出的電晶體效能和電晶體密度也超過業界公佈的任何 32nm 技術。

「由於我們卓越的製程和隨之催生的產品，以英特爾技術為基礎的筆記型電腦、伺服器、和桌上型電腦將在運 算效能和電池壽命方面擴大領先優勢。」英特爾資深院士暨製程架構和整合總監 Mark Bohr 表示：「今年我們已顯示， 製造策略與執行使我們得以創造全新的產品如移動聯網裝置 (MIDs) 、消費電子 (CE) 設備、嵌入式運算和 netbook 產品 系列。」

其他英特爾IEDM的相關文件將描述：以英特爾45nm製程生產的低耗電系統單晶片(system on chip) ；以化合物半導 體 (compound semiconductor) 為基礎的電晶體；運用基板工程 (substrate engineering) 改善45nm電晶體效能；45nm 與更 小節點採用整合化學機械式研磨；以及整合各種矽光調變器 (silicon photonics modulators) 。此外，英特爾也將參 與 22nm CMOS 技術的課程。

英特爾 (NASDAQ: INTC) 為全球晶片技術創新的領導者，並持續發展提昇大眾工作和生活的技術、產品和 解決方案。想了解更多英特爾重要訊息，請至英特爾新聞室 www.intel.com.tw/pressroom 及 http://blogs.intel.com 查詢。

英特爾於 1995 年在臺灣成立應用設計支援中心 (Application Design-in Center) ，與本地的 PC 與元件製造商合作， 提供有關問題排除、分析、設計除錯以及解決散熱與電子等工程問題，協助廠商將英特爾的科技整合在其產品中、快速推出產品。 支援的產品平台包括:桌上型與筆記型電腦、工作站與伺服器、嵌入式等平台與網路解決方案。2003 年並於台灣成立英特爾創新 研發中心 (Intel Innovation Center) ， 與台灣通訊及資訊產業界合作，針對未來網路通訊產品，發展並整合個人行動運算、 企業網路、寬頻存取以及數位家庭等各領域的技術。

此外，英特爾在馬來西亞之 Penang 和 Kulim 、菲律賓之 Makati 和 Cavite ，以及中國上海及成都均設有世界級的測試和組裝廠， 在 Penang 設有晶片設計中心，在上海有軟體發展實驗室，並在印度 Bangalore 設有科技中心，為成長中的軟體／資訊科技工業提供 最佳科技工具與支援。