2007年5月24日
- 英特爾公司宣佈,自採用 high-k 金屬閘極 (high-k metal gate) 之 45 奈米 (nm) 全系列產品開始,未來英特爾處理器都將採用 100% 無鉛設計。英特爾 45 奈米 Hi-k 系列處理器包括下一代 Intel® Core™2 Duo 處理器 (Intel® 酷睿™2 雙核心處理器)、Core 2 Quad 處理器 (Intel® 酷睿™2 四核心處理器) 和 Xeon® 處理器等。英特爾預計將於今年下半年開始生產 45 奈米 Hi-k 處理器。
英特爾副總裁、技術與製造事業群組裝測試技術開發總監 Nasser Grayeli 表示:「英特爾正積極朝協助環境永續發展而努力,包含了全面採用無鉛製程、重視產品能源效率運用、減少廢氣排放,以及大規模回收再利用水資源與製造材料等。」
之前各種微電子封裝 (package),及連接英特爾晶片與封裝的凸塊 (bumps) 都會使用鉛。封裝包覆在晶片外部,並連接至主機板。為因應特定市場需求,包括筆記型電腦、桌上型電腦和伺服器等各式處理器,會採用不同種類的封裝。無論是採用何種封裝設計,如 PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array) 和 LGA (land grid array) 等方式,英特爾的 45 奈米 Hi-k 技術世代都將 100% 使用無鉛設計。英特爾也將於 2008 年將 65 奈米製程所製造的晶片組產品全面改採 100% 無鉛技術。
英特爾的 45 奈米處理器不僅以無鉛方式製造,同時也採用英特爾獨有的 Hi-k 矽晶技術,減少電晶體漏電 (leakage),催生耗電更少、效能更高的處理器。英特爾的 45 奈米 Hi-k 矽晶技術也包括第三代應變矽 (strained silicon),可改善驅動電流,並利用低 K 值電介質 (low-k dielectrics) 降低連接點電容效應,以提升效能和降低耗電。英特爾 45 奈米 Hi-k 系列處理器的最終目標,是引導業界朝向更輕薄短小、能源效率更高的桌上型電腦、筆記型電腦、行動上網裝置和伺服器的設計。