2006年1月26日
- 英特爾公司今日宣佈該公司為首家在 45 奈米 (nm) 邏輯製程技術上達到重大里程碑的公司。英特爾已經運用最新 45 奈米製程技術生產出據信為第一顆全功能的 SRAM (靜態隨機存取記憶體) 晶片。45 奈米製程是英特爾下一代可量產之半導體製程技術。
這項里程碑意謂英特爾達成了預期目標,將於 2007 年開始以 12 吋晶圓製造新晶片,並且持續實踐摩爾定律,以每兩年的時程發表新世代製程技術。
目前英特爾以領先業界的技術,運用 65 奈米製程技術量產半導體元件,目前已有亞歷桑那州與奧勒岡州兩座晶圓廠生產 65 奈米晶片,愛爾蘭與奧勒岡州的另外兩座晶圓廠也將於今年(2006 年)開始啟動生產線。
英特爾技術及生產事業群副總裁暨總經理 Bill Holt 表示:「我們率先邁入 65 奈米製程量產技術以及率先展示具備完整功能的 45 奈米晶片,充分展現了英特爾在晶片技術與製造的領導地位。 長久以來,英特爾不斷致力於提昇技術,並將技術轉化成為人們能共享的實質效益。我們的 45 奈米技術將提供發展基礎,協助業界推出具備更高“效能/功率比 (performance per watt)”的電腦,藉此提昇使用者經驗。」
英特爾的 45 奈米製程技術將讓晶片的漏電率比現今晶片降低五倍以上。這將有助於提高行動裝置的電池續航力,給予業者更多機會開發體積更小、性能更強的平台。
每一個 45 奈米 SRAM 晶片內含超過 10 億個電晶體。雖然 SRAM 並非英特爾的產品線,但它成功地示範了推動採用 45 奈米製程的處理器以及其他邏輯晶片時,所需要的技術效能、製程良率、以及晶片的可靠度。在邁向量產全球最精密元件的進程上,這是關鍵性的第一步。
英特爾除了宣佈位於奧勒崗州的 D1D 晶圓廠正開始發展 45 奈米製程技術的產能,該公司同時也指出正在興建位於亞歷桑那州的 Fab 32 以及以色列的 Fab 28 晶圓廠,這兩座高產能晶圓廠都將運用 45 奈米製程技術生產晶片。
有關英特爾資深院士 Mark Bohr 的新製程相關採訪錄音,可至
http://intel.feedroom.com
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