代号为“Moorestown”的英特尔下一代手持设备平台计划于 2010 年发布，以移动互联网设备（MID）和智能手机为目标市场。
Moorestown 包括一个代号为“Lincroft”，集成 45 纳米
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英特尔®凌动™ 处理器核心、图形与视频引擎以及内存和显示控制器的片上系统（SoC）。该平台还包括代号为“Langwell”的输入/输出平台控制器枢纽（I/O-PCH），除了数项板卡级功能外，它还支持用于和无线、摄像头传感器和闪存连接的多个 I/O 模块。Moorestown 平台附带一个代号为“Briertown”的专用混合信号集成电路（MSIC），并且采用了下一代操作系统电源管理（OSPM）。此外，与 Moorestown 配套的还有最新版本的 Moblin 软件——Moblin v2.1。
相比英特尔第一代“Menlow ”平台，在 SoC、I/O-PCH、MSIC 和 OSPM 的共同作用下，新平台的闲置功耗显著降低了 50 倍之多，板卡尺寸也缩小了 2 倍。英特尔目前正与包括 Aava Mobile*、华宝通讯*、仁宝电子*、EB*、英业达*、LG 电子*和广达*在内的领先系统制造商合作，进行下一代 Moorestown 设计。
在 9 月 22 日至 24 日召开的旧金山英特尔信息技术峰会上，英特尔介绍了在高性能、低功耗、小体积以及持续互联体验进展背后一些独特的平台创新。
构建高性能
Moorestown 平台旨在为手持设备提供高性能，从而实现全面而丰富、媲美PC的互联网体验。高性能主要源于 Lincroft 片上系统上的 45 纳米高K、超低漏电的晶体管和高度集成的 Langwell I/O-PCH 枢纽。主要创新包括：
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Lincroft 片上系统架构旨在为多媒体模块（图形、视频编码、视频解码）提供广泛的
可扩展频率
，使其能够在需要的时候用适当的功耗为相应的用途提供所需的性能。
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总线睿频模式。
当 CPU 以较高频率运行时，该模式可提高总线带宽并缩短 CPU 到内存的总线延迟， 从而提升整体系统性能。
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英特尔® Burst Performance 技术
（英特尔® BPT）使处理器能够按需突破到更高的性能，在不影响散热设计的情况下，就有可能在更小的设备中提供更高的性能。
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该平台支持
英特尔® 超线程
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技术，
可实现卓越的性能/能效并支持多任务为导向的使用模式。
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Langwell 枢纽将
PC 与手持设备 I/O
（如：MIPI®-CSI、SDIO 端口、USB 控制器、NAND 控制器和音频引擎）相结合，有助于实现整个平台的高性能。
专为低功耗而设计
Moorestown 平台采用了跨 Lincroft、Langwell 和 Briertown 技术的一系列创新。此外，英特尔还利用高-K晶体管和行业领先的45纳米制程来解决漏电问题。实现低功耗的主要特性包括：
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除了 LVDS 之外，Lincroft 还支持
MIPI 显示器接口
。采用 MIPI 可满足手持设备显示屏分辨率的独特需求，同时功耗更低。Lincroft 还支持
低功耗 DDR1
以及
DDR2
内存技术，以满足智能手机和移动互联网设备的各种不同需求。
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增强型英特尔 SpeedStep® 技术可为低功耗创建一个新的动态范围，有助于利用动态电压和频率扩展按需提供性能，并且能在延长电池续航时间的同时，提供更好的用户体验。
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在 Lincroft 片上系统上积极利用跨电源岛的
分布式电闸
，通过关闭不使用的部分，将平台的闲置功耗降到新低。Langwell I/O-PCH 与专用 MSIC（混合信号集成电路）——Briertown——相连接，在 Moorestown 平台上高效供电和实现电闸方面发挥重要作用。通过关闭不使用的晶体管，减少了漏电现象，同时延长了电池续航时间。MSIC 还能加快电源状态的转换速度，可以更频繁更长久地处于超低功耗节能状态。
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Moorestown 平台采用下一代
操作系统电源管理（OSPM）
，这是一个由操作系统指导的软件管理技术，可通过在平台上控制电源并采用时钟门控技术，实现对工作和闲置时电源状态的积极管理。
为小尺寸、顺滑外观而优化
Moorestown 平台上的一系列优化使板卡尺寸相较 Menlow 平台缩小了 2 倍。在传统的 PC 平台上，主板上分布了大量的嵌入式控制器、USB 芯片、时钟芯片和存储控制器。在 Moorestown 平台上，英特尔采取了积极措施，将这些功能集成到 Briertown MSIC 和 Langwell I/O-PCH 中，从而大幅缩小了尺寸。
实现持续互联
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体验
英特尔与行业领导者携手合作，致力于利用基于 Moorestown 平台的设备为人们提供持续互联体验。基于 Moorestown 的设备将采用 Option* 和爱立信* 的 3G/HSPA 模块。Moorestown 还将支持英特尔下一代 WiMAX 或代号为“Evans Peak”的 4G 技术。
1 英特尔45纳米技术采用无铅制程。符合欧盟 RoHS标准（2002/95/EC，Annex A）。一些RoHS豁免条款可能适用于产品封装上使用的其它组件。
2 适用于仅含有阻燃剂和PVC的组件。卤素标准：溴、氯含量900 PPM ，溴氯总含量低于1500PPM。
3 英特尔®超线程技术需要一个带有支持超线程技术的英特尔处理器的计算机系统、一个支持HT技术的平台控制器枢纽、固件和操作系统。
4 持续互联体验必须依赖一系列因素才能实现，其中包括无线元件集成、基础设施的可用性以及用户激活。
