美国加州圣克拉拉，2007年5月22日 - 英特尔公司今天宣布，从其 45 纳米高- k 金属栅极处理器全部产品系列开始，英特尔下一代的处理器将实现百分之百的无铅化¹。英特尔 45 纳米高- k 产品系列包括下一代英特尔® 酷睿™2 双核、英特尔® 酷睿™2 四核以及英特尔® 至强® 处理器。采用最新 45 纳米高- k 技术的处理器将于 2007 年下半年开始投产。

英特尔公司技术与制造事业部副总裁兼封装测试技术发展总监 Nasser Grayeli 指出：“从淘汰铅的使用、致力于提高我们产品的能效，到降低空气排放和提高水及其他材料的循环利用，英特尔正积极地朝着环境可持续发展的目标迈进。”

铅被广泛的使用在多种微电子产品的封装（package）中，包括象连接英特尔芯片到封装的凸焊点（bump）中都在使用铅。封装的作用是将硅芯片包装起来，使封装好的硅芯片可以最终连接到主板上。面向移动计算、台式机和服务器等特定细分市场的处理器会采用不同类型的封装。封装设计类型包括针脚矩阵（pin grid array）、球状矩阵（ball grid array）和板状矩阵（land grid array）等，而在英特尔下一代 45 纳米高-k技术中，这些封装都会实现百分之百无铅化。2008 年，英特尔还将实现 65 纳米芯片组产品的百分之百无铅化。

英特尔的 45 纳米处理器不仅无铅，而且还会利用英特尔的高- k 硅技术降低晶体管的漏电，使处理器的能效和性能都得到极大提升。英特尔公司的 45 纳米高- k 硅技术还包括了第三代应变硅技术以改进驱动电流，同时利用低- k 电介质降低互连电容，从而在提高性能的同时降低功率。最终，英特尔 45 纳米高- k 处理器系列将能使台式机、笔记本电脑、移动互联网设备以及服务器设计变得更轻巧时尚，体积更小，能效更高。

因其特别的电子特性和机械特性，铅在电子产品中已经使用了数十年之久。寻找能够满足性能和可靠性要求的替代材料，是一项巨大的科学和技术挑战。

由于铅对环境和公共健康存在着潜在的影响，作为其支持可持续发展的长期承诺的一部分，英特尔与其供应商以及半导体和电子行业的其他公司一起，多年来一直致力于开发无铅产品的方案。2002 年，英特尔生产出了第一个无铅闪存产品。从 2004 年开始，英特尔向市场提供的微处理器和芯片组封装产品的铅含量较以往产品低 95%。

剩余的 5% 的铅（大约 0.2 克）当时存在于第一层连接的铅焊料之中，这些焊料起着连接硅芯片（silicon die）到封装底层的作用。为了替换掉最后的这些铅，英特尔将使用一种锡/银/铜的合金来替换掉原来的锡/铅焊料，这种新材料就是英特尔的“秘密配方”。由于英特尔先进硅技术的复杂连接构造，要剔除掉英特尔处理器封装中残余的这点铅，引入全新的焊料合金系统，需要做大量的工程性工作。

英特尔的工程师们开发了一种使用新合金的封装生产工艺，能够保证在使用新的合金的情况下，英特尔组件仍发挥应有的高性能、高质量和高可靠性。

英特尔长期以来一直坚持对环境保护的承诺，这种环保理念从英特尔的创始人戈登-摩尔（Gordon Moore） 就开始了。除了消除铅在其产品中的使用，英特尔还在其工厂和运营中开发了一系列绿色环保的最佳方案。从英特尔即将面世的无铅处理器中最小的 45 纳米晶体管，到今天高性能的英特尔® 酷睿™2 双核处理器（能耗降低多达 40%），再到对行业标准和强有力的公共政策的广泛支持，英特尔在其所从事业务的方方面面都设计和融入了高能效表现的理念。

• 今年早些时候，英特尔在其 Intel StrataFlash® 蜂窝内存的封装中实现了向无卤素技术的转移。英特尔目前正在评估将无卤阻燃素用于其 CPU 封装技术中。
• 1996 年，英特尔领导制定一个覆盖全行业的半导体加工协议，旨在降低全球温室气体排放。目前，英特尔正在与欧盟合作，讨论技术行业如何支持欧盟实现其设定的在 2020 年将温室气体排放量降低 20% 的目标。
• 英特尔正专注于减少其生产过程中产品对自然资源的使用和浪费。在过去的 3 年中，英特尔通过保护性措施节约了超过 90 亿加仑的淡水；其全球的温室气体排放量的降低，相当于让公路上少跑了 5 万辆汽车。
• 英特尔降低了其产品中有害物质的使用，并对超过 70% 的化学和固体废料实现了循环利用。
• 英特尔优先使用可再生能源。英特尔公司是美国俄勒冈州最大的风能发电采购者，也是新墨西哥州最大的可再生能源工业用户。
• 英特尔正在努力从 200 毫米晶圆到 300 毫米晶圆转变，这样可以将生产每平方厘米硅的用水量降低大约 40%
• 英特尔在能源之星（Energy Star*）和雇员通勤计划方面的工作，受到了美国环境保护署的好评。

英特尔在环境保护承诺方面的进一步信息，请访问： http://www.intel.com/go/responsibility 。

即将投产的英特尔 45 纳米“高- k 栅介质+金属栅极”处理器系列将采用新的封装技术。该技术将使用铜质凸焊点（bump）和一种锡/银/铜的合金（如图所示）来替换掉原来的锡/铅合金焊料，这些焊料起着连接芯片（silicon die）到封装底层的作用。

剩余的 5% 的铅（大约 0.2 克）当时存在于第一层连接的铅/锡合金焊料之中，这些焊料起着连接芯片（silicon die）到封装底层的作用（如图所示）。为了替换掉最后的这些铅，英特尔将使用铜质凸焊点（bump）和一种锡/银/铜的合金焊料。