2006년 4월 5일, 서울
―― 인텔은 고도의 65나노미터 (nanometer) 공정 기술을 사용하는 1 기가비트 집적도의 첫 번째 노어 멀티 레벨 셀 (MLC) 플래시 메모리 칩을 선보였다. 인텔의 노어 플래시 메모리 칩은 전화 운영관리, 개인 정보 관리 (PIM) 와 사진 및 음악, 동영상을 저장을 위해 핸드폰 기기와 같은 디바이스에 활용된다.
인텔의 핸드폰 OEM 고객들은 90나노에서 65나노 공정 기술로의 마이그레이션을 단순화하는 공통 플래시 아키텍처를 통해 다양한 혜택을 누리게 될 것이다.
인텔의 플래시 메모리 그룹의 총괄 책임자인 브라이언 헤리슨 (Brian Harrison) 부사장은 “이번 플래시메모리 공급으로 인텔은 거대한 핸드폰 시장에서 업계의 가장 진보된 노어 플래시 메모리를 제공하게 되었고 이는 인텔의 플래시 메모리 분야 리더십을 또 한번 강화하는 계기가 될 것이다. ”며 “인텔의 65나노 공정 기술은 사용자들에게 보다 새롭고 향상된 기능을 제공할 수 있는 차세대 핸드폰의 플래시 메모리 성능을 향상시키게 될 것이다.” 고 말했다.
65나노 노어 플래시 메모리의 샘플은 2분기 말에 제조사들이 이용할 수 있게 될 것이다.
