2005년 12월 6일, 서울 – ST 마이크로일렉트로닉스와 인텔은 오늘 휴대폰 단말기 제조업자들이 개발 비용을 절감하면서 다 기능 제품을 보다 빠르게 시장에 선보일 수 있도록 하기 위한 공통 플래시 메모리 서브시스템을 발표했다. 휴대폰 메모리 설계를 단순화하기 위해 양사는 공동 설계에 기반한 호환가능 하드웨어 및 소프트웨어 메모리 제품을 제공하게 된다. 따라서, 휴대폰 제조업체들은 개발 시간의 단축 및 생산 비용 절감을 통해 저렴하게 양사의 차세대 노어 플래시제품으로 신속히 이행 할 수 있게 되었다.

노어 플래시는 대용량 휴대폰 시장에 가장 적합한 주류 메모리 기술이다. 산업 조사 기관 아이서플라이(iSuppli)에 따르면, 휴대폰에 탑재되는 플래시 메모리92.8%를 노어 플래시 메모리가 점유하고 있으며, 인텔과 ST는 현재 휴대폰에 들어가는 노어 플래시 메모리를40% 이상을 공급하고 있다.

노어 플래시 제품을 주도하는 “2차 소스” 및 서브시스템을 만들기 위한 이러한 움직임은 ST와 인텔이 공동 사양을 위해 최초로 협력했다는 데 그 의의가 있다. 공동 사양에 기반한 첫 번째 멀티-레벨 셀 노어 제품은 업계를 선도하는90나노 공정으로 설계 및 제조된512 Mbit 디바이스이고 현재 인텔과 ST, 두 회사 모두 공급 가능하다. 공통 서브시스템 사양은65나노 MLC 노어 기술로 확대되어 1기가비트 의 MLC 노어 싱글 칩 제품에 주력하게 된다.

인텔 플래시 제품 그룹 총괄 책임자인 대린 빌러벡 (Darin Billerbeck) 부사장은 “현재 인텔과 ST는 전 세계 상위 10개 휴대폰 제조업체에 노어 플래시 메모리 제품을 공급하고 있다”며,“양사가90나노 및65나노 노어 플래시 제품을 위해 함께 개발한 메모리 서브시스템을 통해, 앞으로도 계속해서 휴대폰 업계를 선도하는 위치를 공고히 하게 될 것” 이라고 말했다.

ST마이크로일렉트로닉스 메모리 제품 그룹 부사장인 쥬세페 크리센자 (Giuseppe Crisenza)는 “ST와 인텔은 휴대폰 제조업자들에게 메가 픽셀 카메라, 동영상 및 고속 데이터 성능을 갖춘 멀티미디어 휴대폰을 위한 빠른 실행과 고밀도 및 전력 소비가 낮은 노어 플래시를 안정적으로 공급해 오고 있다.”며, “양사는65나노 메모리 서브시스템에 차세대 제품개발을 위한 특징, 메모리 인터페이스와 및 패키징 기술을 규정하여 휴대폰 제조업자들에게 더 많은 가치를 부여하기 위해 협력하고 있다.”고 밝혔다.

세계 최대 칩 메이커인 인텔은 퍼스널 컴퓨터, 네트워크 및 통신장비 제조 분야에서도 선도적인 위치를 점하고 있다. 인텔에 대한 자세한 사항은 인텔의 웹 사이트 www.intel.com/pressroom   에서 구할 수 있다.

ST마이크로일렉트로닉스에 관하여
ST마이크로일렉트로닉스는 마이크로 일렉트로닉스는 마이크로전자 애플리케이션을 위해 반도체 솔루션을 개발 및 공급하는 세계적인 기업이다. 실리콘 및 시스템 전문지식, 제조 부문 강점, 지적 자산 포트폴리오 및 전략적 파트너 등 모든 역량의 탁월한 결합을 통해 ST는 시스템 온 칩(SoC) 기술의 선두주자로서 확고한 입지를 갖추고 있으며 ST의 제품들은 오늘날의 컨버전스 시장을 주도해 나가는 데 핵심 역할을 담당하고 있다. ST의 주식은 뉴욕 증권거래소, 파리 유로넥스트, 그리고 밀라노 증권 거래소에서 거래되고 있다. 2004년 ST의 순수입은87억6천만 달러이고 순이익은6억1백만 달러였다. ST에 관한 자세한 내용은 www.st.com 에서 볼 수 있다.