2005년 11월 17일, 서울 - 인텔 코리아 (대표 이희성, www.intel.com/kr) 는 업계 최초로 90나노미터 (nm) 기술 기반의 멀티 레벨 셀 (MLC) 노어 (NOR) 플래시 메모리를 출시한다고 발표했다. 새로운 인텔 스트라타플래시® 셀룰러 메모리 (Intel StrataFlash® Cellular Memory) M18은 카메라, 컬러 스크린, 웹 브라우징 및 비디오 기능 등 다기능의 휴대 전화기에 대한 증가된 요구를 충족시킬 수 있도록, 이전의 130나노미터 버전보다 빨라진 기능, 높아진 밀도, 줄어든 전력 소모량을 실현한다.

인텔 코리아 이희성 사장은 “플래시 메모리는 차세대 휴대 전화 애플리케이션 구현을 위한 주요 기술 중 하나”라며, “M18은 오늘날의 휴대 전화기에 필요한 성능, 밀도 및 저 전력을 독특하게 조합하여 휴대기기 개발자들에게 제공한다. 또한, M18은 신뢰성 높고 비용 효과적인 인텔의 5세대 MLC 기술 및 90nm 프로세스 리소그래피 (lithography) 를 기반으로 한다.”라고 말했다.

M18은 업계에서 가장 빠른 읽기 속도를 제공함으로써 차세대 셀룰러 칩셋과 동일한 버스 주파수 (최대 133MHz) 에서 새로운 플래시 메모리가 운영될 수 있게 해준다. 이로 인해 칩셋과 메모리 실행 간의 상호작용이 130나노 버전에 비해 향상되어, 사용자 애플리케이션 실행 속도를 빠르게 해 준다. 최대 0.5MB/초의 쓰기 속도를 가진 M18은 3MP (메가 픽셀) 카메라와 MPEG4 비디오를 지원한다. 반도체 공장의 프로그래밍 속도가 이전 130나노 버전보다 최대 세 배 이상 빨라진 결과로 OEM 들은 생산 비용 감축의 혜택을 받는다. M18은 이전 세대 제품에 비해 프로그램 작성에는 삼분의 일, 삭제에는 반 정도의 에너지만을 소비하며, 새로운 딥 파워 다운 (Deep Power Down) 운영 모드를 제공하는 등 배터리 수명을 향상시킨다. 256Mb 및 512Mb의 단일 칩 솔루션과 최대 1Gb의 표준 스택 (stacked) 패키지 솔루션과 함께 M18은 노어 플래시 밀도 범위를 증가시킨다. 인텔의 업계 선도적인 표준 스택은 다중 버스 구조 안에 노어 (NOR) 와 램 (RAM) 을 결합하고, OEM 제품의 시장 출시 시기를 앞당기며, 공급망의 유연성을 향상시킨다.

인텔은 고객들이 통합 시간을 단축하고, 성능을 향상시키며 레퍼런스 디자인 플랫폼을 최적화하는 데 도움을 주기 위해 셀룰러 에코시스템 전반과 협력하고 있다. 인텔은 심비안 (Symbian) 및 몬타비스타 (MontaVista) 와 같은 OS와 ADI, 필립스, 인피니온 (Infineon) , 미디아텍 (MediaTek) 과 같은 회사들의 셀룰러 칩셋이 90나노 기반 M18를 적용할 수 있도록 함께 협력하고 있다.

소니 에릭슨의 피터 칼슨 (Peter Carlsson) 부사장은 “인텔 스트라타플래시 셀룰러 메모리 (M18) 의 성능, 고밀도 및 우수한 가치는 소니 에릭슨의 다기능 전화기에 매우 적합하다.”라고 말했다.

한편, 인텔은 개발자들이 새로운 단말기의 통합 및 구현 속도를 증가시키는 데 도움을 주기 위해 로열티를 지불할 필요가 없는 소프트웨어인 차 세대 인텔 플래시 데이터 통합기 (Flash Data Integrator - FDI) 를 제공하고 있다. 인텔 FDI v.7.1은 플래시 파일 시스템의 간편한 통합을 위한 개방형 아키텍처와 함께 실 시간 운영 체제와 장착 가능한 USB, 다량의 지원 및 RAM 버퍼 지원 등 세가지 최신 기능을 제공한다.