2005년 4월 7일, 서울 - 인텔 코리아(www.intel.com/kr)는 저 비용, 고성능의 NOR(Not-Or) 플래시 메모리 제품 군에 속하는 인텔 스트라타플래시® 임베디드 메모리(Intel StrataFlash Embedded Memory)를 출시했다. 이 제품 군은 소비 가전, 공산품 및 무선 통신과 같은 임베디드 애플리케이션 시장을 타깃으로 한다.

인텔의 4세대 멀티 레벨 셀(Multi-Level Cell) 제품들은 고성능 및 고밀도 플래시 메모리를 필요로 하는 임베디드 시장의 OEM을 대상으로 한다. 이러한 성능은 특히 디지털 카메라 및 가정용 전자제품부터 네트워크 라우터, 스위치 및 핸드핼드 기기에 이르는 다양한 플랫폼 디자인에 적합하다.

인텔 플래시 제품군 최고 책임자인 대린 빌러백(Darin Billerbeck) 부사장은 "시장에서 입증된 인텔의 4세대 멀티 레벨 셀 기술은 자사의 임베디드 고객들에게 가격 대비 성능 면에서 우위를 제공하고 있다"며, "인텔 스트라타플래시 임베디드 메모리는 비트당 가격 면에서 최저가 솔루션이며, 임베디드 애플리케이션 개발자들에게 전지가 부착된 제품 개발을 위한 고성능, 부가적인 보안 옵션 및 저전력과 같은 일련의 특징적인 기능을 제공해 준다."고 말했다.

인텔이1988년에 개발한 NOR 플래시는, 전력 공급이 안된 상태에서도 내용물을 보존하는 재(再)기록이 가능한 메모리 칩으로 임베디드 애플리케이션 및 이동 전화를 포함한 다른 종류의 이동 기기에 이상적인 제품이다. 인텔의 4세대 멀티 레벨 셀 기술은 더욱 작은 크기의 다이에서 보다 높은 밀도를 지닐 수 있게 해주며, 각각의 메모리 셀에 2비트의 정보를 제공해 준다.

인텔 플래시 메모리의 디자인 유연성, 임베디드 애플리케이션을 위한 현명한 선택
새로운 인텔 스트라타플래시® 임베디드 메모리 제품 군은 64Mb부터 1Gb에 이르는 광범위한 밀도를 제공해 줄 것이다. 따라서 개발자들은 쉬운 업그레이드 패스를 제공 받게 되고 재설계하는 수고를 없애면서 비용을 최소화할 수 있게 된다.

자일링스(Xilinx) 마케팅 부문 샌딥 비제이(Sandeep Vij) 부사장은 "우리는 인텔 스트라타플래시 메모리를 자일링스의 새로운 차세대 스파르탄3E™ 레퍼런스 디자인 스타터 킷(Spartan3E Reference Design Starter kit) 디자인에 성공적으로 적용했다"며, "이제, 성능 및 기능 면에서 보다 강화된 새로운 임베디드 메모리 제품 군과 함께, 인텔의 솔루션은 우리에게 더욱 높은 가치를 제공해 줄 것이다."고 말했다.

인텔의 새로운 임베디드 메모리 제품 군을 이용하면, 임베디드 시스템 개발자들은 세 가지의 패키지 옵션 중에서 각자의 폼 팩터 필요성에 가장 적합한 한 가지를 선택할 수 있다. 세 가지 패키지 옵션은 납(Pb)으로 된 것과 납을 사용하지 않는 것(Pb-free) 모두 가능하다. 또한, 개발자들은 우수한 애플리케이션 성능 (초기 액세스 시간: 85 nanosecond / 후속 버스 속도: 20 nanosecond) 발휘를 위한 빠른 액세스 시간의 혜택을 받을 수 있을 것이다. 또한 최고의 보안을 위한 다중 보호 옵션 및 보다 긴 전지 수명을 위한 저 전력 기능의 혜택도 누리게 될 것이다.

제품 가용성
64Mb- 512Mb의 인텔 스트라타플래시 임베디드 메모리는 2005년 2분기에 사용 가능할 것이며 보다 향상된 데이터 및 파일 관리를 위해 로열티 없는 인텔 플래시 메모리 소프트웨어와 함께 출시될 수 있다. 1Gb 밀도의 제품은 2005년 하반기에 출시될 예정이다. 인텔 플래시 메모리 제품에 관한 보다 자세한 사항은 www.intel.com/go/choosesmart  를 참조할 수 있다.