קרייג. ר. בארט נולד ב - 29 באוגוסט, 1939 בסן פרנסיסקו, קליפורניה.
הוא למד באוניברסיטת סטנפורד בפאלו אלטו בקליפורניה משנת 1957 עד
שנת 1964, שם רכש תואר ראשון, תואר שני, ודוקרטורט במדעי החומרים.
עם סיום לימודיו, הצטרף לפקולטה להנדסה ולמדעי החומרים באוניברסיטת
סטנפורד, שם נשאר עד 1974 והגיע לדרגת פרופסור חבר. ד"ר בארט היה עמית פולברייט באוניברסיטה הטכנית הדנית בדנמרק
ב - 1972 ועמית פוסט דוקטורנט מטעם נאט"ו במעבדה הפיזיקלית הלאומית
באנגליה מ - 1964 עד 1965. ד"ר בארט הצטרף לאינטל ב - 1974 כמנהל
פיתוח טכנולוגיה. הוא נתמנה לסגן נשיא התאגיד בשנת 1984, קודם למעמד סגן נשיא בכיר
בשנת 1987 ובשנת 1990 נתמנה לסגן נשיא כללי. ד"ר בארט נבחר
למועצת המנהלים של אינטל ב - 1992 ומונה למנהל תפעול ראשי של
החברה בשנת 1993. במאי 1997 התמנה לנשיאה הרביעי של החברה
ולמנהל החברה ב - 1998. ב - 1969, קיבל ד"ר בארט את מדליית הזהב
ע"ש הארדי מהמכון האמריקני למכרות ולהנדסת מטלורגיה והוא
כיום חבר באקדמיה הלאומית להנדסה. ד"ר בארט הנו מחברם של למעלה מ - 40 מאמרים טכניים הדנים בהשפעת
מבני המיקרו על תכונות החומרים וכן מחברו של ספר לימוד בנושא
מדעי החומרים, "עקרונות של הנדסת חומרים" שנכתב בשנות ה-70'
ועדיין נמצא בשימוש כיום באוניברסיטאות ברחבי ארה"ב. ד"ר בארט משמש בוועדה הלאומית למתמטיקה ומדעים בהוראת
המאה ה - 21 ובועדת המאה ה - 21 במדיניות החוץ הכלכלית של
ארה"ב בכלכלה הגלובלית. ד"ר בארט הוא חבר במועצת המנהלים
של אינטל, ,Qwest Communications International Inc
Sematech ,Association U.S. Semiconductor Industry ובקרן
היערות הלאומית. English version  | 
