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Intel® 45 奈米 (nm) Hi-k 金屬閘極 (Metal Gate) 矽晶科技是構成新一代 Intel® Core™ 微架構的創新技術。Intel 45 奈米 (nm) 製程技術的密度是 Intel® 65 奈米 (nm) 製程技術的兩倍，可以在相同的矽晶基板面積上使電晶體的數量倍增。這代表雙核心處理器上可以容納超過 4 億 1 千萬個電晶體，在四核心處理器上更可以容納超過 8 億 2 千萬個電晶體。Intel 的 45 奈米 (nm) 製程技術有絡繹不絕的優勢，包括可大幅提升效能、增加 L2 快取記憶體高達 50%，以及實現更優異的電源使用效率。
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Intel 早在 2007 年 1 月就已經成功製成全球首顆 45 奈米 (nm) 中央處理器 (CPU)，而且這只是 15 種正在開發中的 45 奈米 (nm) 處理器產品的其中一種。 Intel 的 45 奈米 (nm) Hi-k 矽晶科技是這 40 年來電晶體設計技術上最重大的突破，不但能夠使電晶體切換速度提升超過 20%，還能夠減少電晶體閘極 (Transistor Gate) 的漏電現象超過 10 倍以上。
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藉由採用嶄新材料，包括以鉿為基礎的 Hi-k 閘極電介質 (Gate Dielectric) 以及金屬閘極 (Metal Gate)，Intel 45 奈米 (nm) 製程技術代表了產業在降低電晶體電流洩漏的一大成就，也是一個關鍵的里程碑，因為隨著電晶體不斷地縮小，漏電是晶片製造商愈來愈需要積極排解的難題。
這項突破性的電晶體技術，將可以讓 Intel 的桌上型、筆記型以及伺服器處理器產品持續刷新各項紀錄，穩坐產業的領導地位，不斷為使用者提供更勝一籌的優勢。這項成就也再次證實高科技產業公認的摩爾定律 (Moore's Law)：電晶體容量大約每兩年會倍增，且將以更低廉的單價提供更卓越的效能和更豐富的功能。此定律也將因這項創新科技而在未來的數十年內維持一致的發展趨勢。
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這批首次採用創新 Intel 45 奈米 (nm) Hi-k 矽晶科技的處理器具備多項架構上的尖端技術，可實現更卓越的硬體和軟體效能。此外，Intel 在這項創新 45 奈米 (nm) 製程技術中已經全面採用無鉛材料，而且也計劃將於 2008 年進一步擺脫鹵素 (Halogen) 材料，以達到我們所訂立的環境保護目標。優先受惠於這項創新 45 奈米 (nm) 技術的產品，包括新一代 Intel® Core™2 處理器系列產品以及 Intel® Xeon® 處理器系列產品。
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採用 45 奈米 (nm) 製程技術的處理器均內建多項嶄新指令集。
閱讀關於摩爾定律 (Moore's Law) 的詳細資料
進一步認識摩爾定律 (Moore's Law)，並瞭解 Intel® 永續創新的精神如何實踐此定律。
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